深圳新型ESD保护二极管SR24D3BL型号报价

       信号极性（即信号电压是否像模拟信号一样跨GND电位）考虑到要保护的信号线的极性，有必要选择单向或双向ESD保护二极管。不同类型的二极管用于*正向摆动的未调制数字信号（例如，0V（逻辑低电平）与5V（逻辑高电平）之间），以及电压可正可负的无偏压模拟信号。双向ESD保护二极管可用于高于和低于GND范围的信号，如下图所示。（单向和双向二极管均可用于电压*为正或*为负的信号。)当静电放电（ESD）进入系统时，ESD保护二极管要么导通，要么反向击穿。单向ESD保护二极管通过正ESD电击时反向击穿，负ESD电击时导通吸收ESD能量。防止ESD脉冲损坏被保护器件（DUP）SRV05-4：可用于 VGA 模拟视频输出接口的静电保护。深圳新型ESD保护二极管SR24D3BL型号报价

      ESD保护二极管电容为0.12pF至100pF。浪涌保护齐纳二极管具有宽结，以便吸收大量浪涌能量。这类二极管的总电容为100pF至600pF，适用于雷电感应和开关浪涌的保护。表1.2显示ESD保护二极管和浪涌保护齐纳二极管适用于不同类型过压浪涌脉冲：保护二极管（ESD保护二极管和浪涌保护齐纳二极管）与稳压二极管的区别：保护二极管是一种齐纳二极管。齐纳二极管不仅可以用作保护二极管，还可以用作稳压器。保护二极管专门用于保护电路免受ESD和其他瞬变脉冲的影响。相比之下，用于稳压的齐纳二极管击穿模式下保持导通。深圳新型ESD保护二极管SR24D3BL型号报价SR15D3BL和SR18D3BL的电容和电感非常低，可减少电路的噪声和干扰，提高电路的稳定性和可靠性。

        ESD保护二极管在移动通信设备、Wi-Fi模块和蓝牙设备中，通信端口的保护至关重要。这些设备的天线接口和信号传输路径很容易受到静电放电的干扰，使用ESD保护二极管能在极短时间内响应静电放电事件，防止过高的电压进入电路，从而保护射频前端和基带处理器等关键组件。电源线路也是静电放电容易侵入的路径之一。ESD保护二极管可用于保护直流电源线和交流电源线，避免静电放电对电源管理IC和其他关键电源电路的影响。在这种应用中，ESD保护二极管被放置在电源输入端，当静电放电发生时，二极管会迅速分流静电电荷，防止电源电压剧烈波动。

      高击穿电压二极管掺杂浓度低，因此形成宽耗尽层（禁带）。相反，低击穿电压二极管掺杂浓度高，所以它们形成窄耗尽层（禁带）。二极管耗尽层宽时，不太可能发生电子隧穿（齐纳击穿），主要为雪崩击穿。高掺杂浓度二极管耗尽层窄，更容易发生齐纳击穿。随着温度上升，禁带（E(g)）宽度减小，从而产生齐纳效应。此外，随着温度升高，半导体晶格振动增加，载流子迁移率相应下降。因此，不太可能发生雪崩击穿。齐纳击穿电压随温度升高减小，而雪崩击穿电压随温度升高增加。通常，大多数情况下，齐纳击穿电压约为6V以下，雪崩击穿电压约为6V以上。请注意，即使同一产品系列的二极管，温度特性也不一样。低成本：ESD静电保护管的成本相对较低，可在各种电子产品中广泛应用。

      ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）保护二极管***适用于各种需要防止静电放电对电子设备造成损害的场合。以下是一些主要的应用场合：集成电路（IC）和半导体器件：在IC制造、封装、测试以及**终产品组装过程中，ESD保护二极管能够保护脆弱的芯片不受静电冲击。特别是针对高集成度、低功耗和高速的IC，ESD保护二极管的作用尤为重要。消费电子设备：包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、相机、耳机等，这些设备在日常使用中容易遭受静电放电的影响。ESD二极管能在极短时间内响应静电放电事件，防止过高的电压进入电路。深圳新型ESD保护二极管SR24D3BL型号报价

星河微ESD静电保护二极管采用了优越的技术和材料可以快速地吸收和释放静电放电，从而保护设备免受损害。深圳新型ESD保护二极管SR24D3BL型号报价

     SR18D3BL型号是一种18V的ESD保护二极管，其峰值脉冲电流为5A，反向漏电流为0.1μA。该型号采用SOD-323封装，体积小、重量轻，适合用于小型电子设备中。SR18D3BL型号的主要特点如下：工作电压范围广，可适用于多种电路，高峰值脉冲电流，能有效保护电路免受静电放电的影响，低反向漏电流，不会对电路产生过大的影响。SR18D3BL型号适用于需要保护的电路电压在18V以下的场景，如手机、数码相机、MP3等小型电子设备。SR24D3BL型号是一种24V的ESD保护二极管，其峰值脉冲电流为5A，反向漏电流为0.1μA。深圳新型ESD保护二极管SR24D3BL型号报价