氧化层太厚，富含氧的氧化铁增多，它在封接时容易熔入玻璃中，从而影响玻璃绝缘子的电性能:氧化层太薄，金属表面多数是氧化亚铁，由于玻璃液与氧化亚铁的亲和性远不如与氧化铁的亲和性，所以会影响玻璃在金属表面的浸润。要控制金属的氧化程度，必须进行长期试验，不断总结比较好工艺参数、温度、时间和气氛合量等·另外，由于金属在预氧化后，氧化层很容易吸潮，会导致氧化“失效”·因此，预氧化和烧结同时进行的观点已逐渐被人们朵纳，即金属组件不预氧化就和玻璃坏在石墨夹具上装配好，然后在中的低温段(玻璃未熔化之前)通入氧气，氧化金属件，紧接着在氮气保护下升温到封接温度，立即封接。此连接器的现货销售及分销，就选中显创达，用户的信赖之选，有想法可以来我司咨询！富士康ATH4017-H3BE-4M
1、连接器智慧化技术
该技术主要使用在DC系列电源连接器产品上，在传输电源前可以进行智能讯号侦测，以确保插头插入到位后才导通正负极并启动电源，可避免因插头插入时未到位即导通接触而造成电弧击伤、烧机的不良后果，未来企业需开发其它产品的类似智能化的技术。
2、精密连接器技术
精密连接器涉及产品设计、工艺技术和质量控制技术等诸多环节，主要技术包括以下几个方面:
(1)精密模具加工技术:采用CAD、CAM等技术，引进业界高精密加工设备，利用人员生产经验和先进设备技术手段以实现高精度的优良模具产品。
(2)精密冲压和精密注塑成型技术:实现各类冲压件和注塑件精密、高效、稳定的控制及完类型美的表面质量，确保产品质量。
(3)自动化组装技术:通过应用精密控制技术、半自动检测机技术等的应用，克服精密产品人工操作的难题，提高核心竞争力。 富士康ATH4017-H3BE-4M中显创达此连接器获得众多用户的认可。
连接器的接触对与电线或电缆的连接方式·合理选择端接方式和正确使用端接技术，也是使用和选择连接器的一个重要方面。
焊接:焊接常见的是锡焊·锡焊连接重要的是焊锡料与被焊接表面之间应形成金属的连续性。因此对连接器来说，重要的是可焊性·连接器焊接端常见的镀层是锡合金、银和金·簧片式接触对常见的焊接端有焊片式、冲眼焊片式和缺口焊片式:式接触对常见焊接端有钻孔圆弧缺口式。压接:压接是为使金属在规定的限度内压缩和位移并将导线连接到接触对上的一种技术·好的压接连接能产生金属互熔流动，使导线和接触对材料对称变形·这种连接类似于冷焊连接，能得到较好的机械强度和电连续性，它能承受更恶劣的环境条件。
高压连接器广泛应用于新能源汽车。通常，根据不同的场景，它们提供60V380V甚至更高电压水平的传输，以及10A-300A甚至更高电流水平的传输。高压连接器主要应用于新能源汽车的电池、PDU(高压配电箱)、OBC(车载充电器)、DC/DC、空调、PTC加热、DC/交流充电接口等。
高速连接器分为FAKRA射频连接器、Mini-FAKRA连接器、HSD(高速数据)连接器和以太网连接器，主要应用于摄像头、传感器、广播天线、GPS、蓝牙、WiFi、无钥匙进入、信息娱乐系统、导航和驾驶辅助系统等。
高压连接器连接电气化，高速连接器智能连接。 中显创达的此连接器售后服务值得放心。
随着消费电子、汽车电子、通信终端市场的快速增长以及全球连接器生产能力不断向亚洲及中国转移，亚洲已成为连接器市场有发展潜力的地方，而中国将成为全球连接器增长较快和容量较大的市场。据估计，未来中国连接器市场的成长速度将继续超过全球平均水平，未来5年内，中国连接器的市场规模年均增速将达到15%，到2010年，中国的连接器市场容量将达257亿元。
电连接器的主要配套领域有交通、通信、网络、IT、医疗、家电等，配套领域产品技术水平的快速发展及其市场的快速增长，强有力地牵引着连接器技术的发展。到目前为止，连接器已发展成为产品种类齐全、品种规格丰富、结构型式多样、专业方向细分、行业特征明显、标准体系规范的系列化和专业化的产品。
总体上看，连接器技术的发展呈现出如下特点:信号传输的高速化和数字化、各类信号传输的集成化、产品体积的小型化微型化、产品的低成本化、接触件端接方式表贴化、模块组合化、插拔的便捷化等等。 中显创达致力于此连接器产品的现货出售及分销，有想法的可以来电咨询！富士康ATH4017-H3BE-4M
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PCB板的检测是时候要注意一些细节方面，以便更准备的保证产品质量，在检测PCB板的时候，我们应注意以下小常识。
严禁在无隔离变压器的情况下，用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备来检测PCB板
严禁用外壳已接地的仪器设备直接测试无电源隔离变压器的电视、音响、录像等设备。虽然一般的收录机都具有电源变压器，当接触到较特殊的尤其是输出功率较大或对采用的电源性质不太了解的电视或音响设备时，首先要弄清该机底盘是否带电，否则极易与底板带电的电视、音响等设备造成电源短路，波及集成电路，造成故障的进一步扩大。 富士康ATH4017-H3BE-4M
