AD8236ARMZ是AnalogDevices公司推出的一款仪表放大器，具有，23kHz的带宽，以及86dB的共模抑制比（CMRR）。此外，它还具有轨至轨输出，可以在，并且采用8引脚的MSOP封装。这款芯片的主要应用包括音频和视频设备、仪器仪表以及数据采集系统等AD8236ARMZ是AnalogDevices公司推出的一款仪表放大器，具有，23kHz的带宽，以及86dB的共模抑制比（CMRR）。此外，它还具有轨至轨输出，可以在，并且采用8引脚的MSOP封装。这款芯片的主要应用包括音频和视频设备、仪器仪表以及数据采集系统等。 他们的IC芯片的内置参考电压源为其他组件提供了稳定的电压基准。ADL5373ACPZ-R7
AD9912ABCPZ是一款高性能、双通道、14位模数转换器（ADC）和12位数模转换器（DAC）的混合信号芯片，采用16引脚、4mm×4mm、QFN封装。该芯片具有以下特点：高性能、高速14位ADC，支持两通道输入，采样速率高达20MSPS。高性能、低噪声、12位DAC，输出电流驱动能力可达50mA。具有串行外设接口（SPI）和两个通用异步收发传输器（UART）接口，便于多片IC之间的同步和通信控制。提供灵活的数字滤波器选项，可选择过采样和数字滤波器（OS/DL）或无过采样数字滤波器（NS/DL）。温度范围为-40°C至+85°C，符合RoHS标准。总之，AD9912ABCPZ是一款高性能、高分辨率的混合信号芯片，适用于多种数据采集和信号处理应用。 ADL5373ACPZ-R7他们的IC芯片的低电容特性使其适用于高频率信号处理。
HMC641ALP4E是一款通用型、非反射式、单刀四掷（SP4T）开关，采用砷化镓（GaAs）工艺制造的高隔离、低插入损耗开关，具有宽的频率范围和片内端接隔离端口。该开关采用5V至3V负电源电压工作，需要两个负逻辑控制电压，内置片内二进制2:4线路解码器，通过两条逻辑输入线路提供逻辑控制。HMC641ALP4E采用4mm×4mm、24引脚LFCSP封装，工作频率范围为。HMC641ALP4E是一款通用型、非反射式、单刀四掷（SP4T）开关，采用砷化镓（GaAs）工艺制造的高隔离、低插入损耗开关，具有宽的频率范围和片内端接隔离端口。该开关采用5V至3V负电源电压工作，需要两个负逻辑控制电压，内置片内二进制2:4线路解码器，通过两条逻辑输入线路提供逻辑控制。HMC641ALP4E采用4mm×4mm、24引脚LFCSP封装，工作频率范围为。
ADA4084-2ARMZ是AnalogDevices公司的一款通用型运算放大器12。它具有以下特点12：封装为8-MSOP。带宽为。压摆率为μs。增益带宽积为。输入偏置电流为140nA。输入失调电压为130μV。电源电流为625μA。输出通道电流为30mA。电源电压为4V~36V，±2V~18V。工作温度为-40°C~125°C。安装类型为表面贴装。ADA4084-2ARMZ是AnalogDevices公司的一款通用型运算放大器12。它具有以下特点12：封装为8-MSOP。带宽为。压摆率为μs。增益带宽积为。输入偏置电流为140nA。输入失调电压为130μV。电源电流为625μA。输出通道电流为30mA。电源电压为4V~36V，±2V~18V。工作温度为-40°C~125°C。安装类型为表面贴装。 他们的IC芯片设计具有前瞻性，可适应未来的技术发展。
ADG601BRTZ是AnalogDevices公司推出的一款模拟开关，多路复用器，多路分解器1。它具有以下特点1：导通电阻最大值为。电压电源单（V+）为，电压供电双（V±）为±±。开关时间最大值为120ns，最小值为75ns。带宽为180MHz。电荷注入为250pC。沟道电容为50pF。电流漏泄最大值为250pA。工作温度范围为-40°C~85°C。安装类型为表面贴装型。封装外壳为SOT-23-6。ADG601BRTZ是AnalogDevices公司推出的一款模拟开关，多路复用器，多路分解器1。它具有以下特点1：导通电阻最大值为。电压电源单（V+）为，电压供电双（V±）为±±。开关时间最大值为120ns，最小值为75ns。带宽为180MHz。电荷注入为250pC。沟道电容为50pF。电流漏泄最大值为250pA。工作温度范围为-40°C~85°C。安装类型为表面贴装型。封装外壳为SOT-23-6。ADI的IC芯片的高共模抑制比使其在存在大量噪声的情况下仍能准确工作。ADL5373ACPZ-R7
ADI的IC芯片的高效率使其成为许多电源应用的理想选择。ADL5373ACPZ-R7
HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAsIC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器，在接近直流的情况下工作，使得它非常适合各种RF和IF应用。在DC到3.8GHz频率下运行，插入损耗低于2.0dB典型值。衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和16dB，总衰减为31.5dB。衰减精度非常高，典型步长误差为±0.25dB，IIP3为+54dBm。使用六个TTL/CMOS控制输入来选择每个衰减状态。需要+5V的单个Vdd偏置1。它主要应用在3G基础设施和接入点蜂窝、测试设备和传感器GSM、WCDMA和TD-SCDMA等中。ADL5373ACPZ-R7
