除了材料选择会影响噪声水平,放大器的噪声也会影响整个电路噪声,光电二极管放大器增益越大对噪声的抑制越有效。光电导模式可以**缩短光电二极管的响应时间并减少结电容,达到极快的速度,但是这种工作模式的噪声也会大很多。雪崩二极管模式下的光电二极管在高反向偏置条件下工作,这种工作模式光电二极管有极大的内部增益,能够在反向偏压下提供数十至数百倍的信号,选择合适材料的光电二极管后,需要在电路设计中与其他元件配合以便将光电二极管电流转换为输出电压。光电二极管电路主要以三种模式工作,光伏模式、光电导模式以及雪崩二极管模式。光电二极管是pn结或PIN配置。如果光子撞击二极管,它将产生电子和带正电的空穴。黑龙江自动化光电三极管有哪些
光伏模式也称为零偏压模式。当光电二极管工作在低频应用和超能级光应用时,这种模式是优先。当闪光照射光电二极管时,会产生电压。产生的电压将具有非常小的动态范围,并且具有非线性特性。当光电二极管在此模式下配置 OP-AMP ,随温度的变化将非常小。在光电导模式下,光电二极管将在反向偏置条件下工作。阴极为正极,阳极为负极。当反向电压增加时,耗尽层的宽度也会增加。因此,响应时间和结电容将减少。相比之下,这种操作模式速度快,并且会产生电子噪音。雪崩二极管在高反向偏置条件下工作,这允许雪崩击穿倍增到每个光电产生的电子-空穴对。该结果是光电二极管的内部增益,它会缓慢增加设备响应。黑龙江自动化光电三极管有哪些光电二三极管就选凯轩业科技,有想法可以来我司咨询。
暗电流在光电导模式下,当没有光时,通过光电二极管的电流为暗电流。光电二极管中的暗电流包括半导体结的辐射电流和饱和电流。必须提前测量。特别是在精密光功率测量中,必须仔细考虑和纠正暗电流引起的误差。光电二极管响应时间响应速率是光导模式下的光电流与应急灯的比值,单位为A/W。响应特性也可以表示为光电二极管的量子效率,即光产生的载流子数与应急光光子数之比。噪声等效功率(NEP)噪声等效功率是指产生光电流所需的**小光功率,它等于1Hz时噪声功率的RMS。它大约等于光电二极管的**小可检测输入功率。一个相关的属性是检测率(D),它是噪声等效功率的倒数。频率响应特性主要由三个因素决定:(1)耗尽层附近光生载流子的扩散时间;(2)耗尽层中光生载流子的漂移时间;(3)由负载电阻和并联电容决定的电路时间常数。其他重要参数包括材料、光电二极管和有源区域的尺寸以及成本。在采购你需要的光电二极管时,需要仔细考虑。
在无光照射时,光电三极管处于截止状态,无电信号输出。当光信号照射光电三极管的基极时,光电三极管导通,首先通过光电二极管实现光电转换,再经由三极管实现光电流的放大,从发射极或集电极输出放大后的电信号。光电三极管有两种基本结构,NPN结构与PNP结构。用N型硅材料为衬**作的 NPN结构,称为 3DU型;用P型硅材料为衬**作的称为PNP结构,称为3CU型。光电三极管在偏置电压为零时,无论光照度有多强,集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置,而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。光电二极管电路主要以三种模式工作,光伏模式,光电导模式以及雪崩二极管模式。
光电三极管的基本结构和普通三极管一样有两个PN结图1为NPN型b-c结为受光结吸收入射光基区面积较大发射区面积较小当光入射到基极表面产生光生电子-空穴对会在b-c结电场作用下电子向集电极漂移而空穴移向基极致使基极电位升高在ce间外加电压作用下c为+e为-大量电子由发射极注入除少数在基极与空穴复合外大量通过极薄的基极被集电极收集成为输出光电流总之光电三极管工作原理分为两个过程一是光电转换二是光电流放大比较大特点是输出电流大达毫安级但响应速度比光电二极管慢得多温度效应也比光电二极管大得多光电二极管是一种将光转换为电流的半导体器件,在p(正)和n(负)层之间,存在一个本征层。黑龙江自动化光电三极管有哪些
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光电三极管的种类选择由外观上,可以区分为罐封闭型与树脂封入型,而各型又可分别分为附有透镜之型式及单纯附有窗口之型式。就半导体晶方言之,材料有硅(Si)与锗(Ge),大部份为硅。在晶方构造方面,可分为普通晶体管型与达林顿晶体管型。再从用途加以分类时,可以分为以交换动作为目的之光敏三极管与需要直线性之光敏三极管,但光敏三极管的主流为交换组件,需要直线性时,通常使用光二极管。在实际选用光敏三极管时,应注意按参数要求选择管型。如要求灵敏度高,可选用达林顿型光敏三极管;如要求响应时间快,对温度敏感性小,就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。探测暗光一定要选择暗电流小的管子,同时可考虑有基极引出线的光敏三极管,通过偏置取得合适的工作点,提高光电流的放大系数。例如,探测10-3勒克斯的弱光,光敏三极管的暗电流必须小于0.1nA。黑龙江自动化光电三极管有哪些