S8050是一款NPN小功率三极管，数据手册上给出的Vceo大约为25V，Vcbo为40V，而Vebo只有6V。下面是测量一个实际S8050三级的Vceo,Vcbo的反向击穿电压电流曲线：S8050Vceo:大约45VS8050Vcbo:大约115V可以看出Vcbo比Vceo大了将近三倍。如果但但从三极管的符号上来看，这个结果的确非常令人难以理解。因为Vcbo是测量集电极到基极之间的PN节反向击穿电压；Vceo看似是在C、B之间增加了一个B、E的正向导通的PN节，为何Vceo反而比Vcbo小了那么多呢？具体原因就不再这儿展开讨论了。如果你感兴趣可以参见相关资料来进行分析。通常情况下，三极管都是工作了电路中，不会有任何一个电极是悬空的。此时，三极管的耐压就和手册给定的击穿电压不同。下面是在B、E之间连接一个偏置电阻，重新测量C、E之间的击穿电压。深圳市凯轩业科技致力于晶体管产品研发及方案设计，有想法的可以来电咨询！PNP三极管联系方式
二极管二极管是常见到的单向导通的半导体器件，通常用于信号的整流、检波、电路钳位等。如果反向电压超过其耐压就会引起器件击穿。如果没有限流二极管则会由于功率上升而烧毁。1N4005硅二极管1N400X系列的二极管是常用在信号整流的二极管。数据手册给定的反向击穿电压分别为：1N4001:50V；1N4002:100V；1N4003：200V；1N4004:400V；1N4005：600V；4N1006:800V；1N4007:1000V下面分别测量手边1N4001，1N4007反向电压-电流曲线。1N4001二极管反向电压超过200V时，反相电流急剧上升。并且随着反相电流的增加，电压出现复杂变化的情况。1N4001反向电压电流曲线1N4007的反向电流电流曲线呈现单调上升的趋势，当反向电压超过1650V的时候，二极管击穿。1N4007反向电压电流曲线根据1N4001,1N4007反向击穿电压测试结果可以看出实际器件耐压都比数据手册数值高。由于半导体器件的参数具有很大的离散性，器件实际耐压比数据手册高是为了保证在较坏的情况下仍然能够满足电路的工作电压。PNP三极管联系方式按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
变容二极管的检测1．正、负极的判别有的变容二极管的一端涂有黑色标记，这一端即是负极，而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环，红色环的一端为正极，黄色环的一端为负极。也可以用数字万用表的二极管档，通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管，在测量其正向电压降时，表的读数为；测量其反向电压降时，表的读数显示为溢出符号“1”。在测量正向电压降时，红表笔接的是变容二极管的正极，黑表笔接的是变容二极管的负极。2．性能好坏的判断用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值。正常的变容二极管，其正、反向电阻值均为∞（无穷大）。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有一定阻值或均为0，则是该二极管漏电或击穿损坏。
三极管的特殊用途：半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可单独使用的两端或三端器件。1.扩流。把一只小功率可控硅（晶闸管）和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其比较大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图1。图2为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。2.代换。图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管；图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时，三极管的基极均不使用。晶体管设计，就选深圳市凯轩业科技，让您满意，欢迎新老客户来电！
半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为－；锗管的导通电压为－），而工程分析时通常采用的是.半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三.图三硅和锗管的伏安特性曲线，半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为－；锗管的导通电压为－）。二极管的正.负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。PNP三极管联系方式
肖特基二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。PNP三极管联系方式
半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.
半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）
半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。 PNP三极管联系方式
