SPS POLOS µ以桌面化设计降低设备投入成本,无需掩膜制备费用。其光束引擎通过压电驱动快速扫描,单次写入区域达400 µm,支持光刻胶如AZ5214E的高效曝光。研究案例显示,该设备成功制备了间距3 µm的微图案阵列和叉指电容器,助力纳米材料与柔性电子器件的快速原型验证。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。多材料兼容:金属 / 聚合物 / 陶瓷同步加工,微流控芯片集成传感器一步成型。PSP光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
Polos光刻机与德国Lab14集团、弗劳恩霍夫研究所等机构合作,推动光子集成与半导体封装技术发展。例如,Quantum X align系统的高对准精度(100 nm)为光通信芯片提供可靠解决方案,彰显德国精密制造与全球产业链整合的优势。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。PSP光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模高频元件验证:成功开发射频器件与IDC电容器,加速国产芯片产业链突破。
Polos-BESM XL Mk2专为6英寸晶圆设计,写入区域达155×155 mm,平台双向重复性精度0.1 µm,满足工业级需求。其搭载20x/0.75 NA尼康物镜和120 FPS高清摄像头,支持实时观测与多层对准。配套的BEAM Xplorer软件简化了复杂图案设计流程,内置高性能笔记本电脑实现快速数据处理,成为微机电系统(MEMS)和光子晶体研究的理想工具。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。
某生物物理实验室利用 Polos 光刻机开发了基于压阻效应的细胞力传感器。其激光直写技术在硅基底上制造出 5μm 厚的悬臂梁结构,传感器的力分辨率达 10pN,较传统 AFM 提升 10 倍。通过在悬臂梁表面刻制 100nm 的微柱阵列,实现了单个心肌细胞收缩力的实时监测,力信号信噪比提升 60%。该传感器被用于心脏纤维化机制研究,成功捕捉到心肌细胞在病理状态下的力学变化,相关数据为心肌修复药物开发提供了关键依据。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。光刻胶broad兼容:支持AZ5214E、SU-8等材料,优化参数降低侧壁粗糙度。
上海有机化学研究所通过光刻技术制备多组分纳米纤维,实现了功能材料的精确组装。类似地,Polos系列设备可支持此类结构的可控加工,为新能源器件(如柔性电池)和智能材料提供技术基础3。设备的高重复性(0.1 µm)确保了科研成果的可转化性。掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。科研成果转化:中科院利用同类技术制备跨尺度微盘阵列,研究细胞浸润机制。PSP光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
软件高效兼容:BEAM Xplorer支持GDS文件导入,简化复杂图案设计流程。PSP光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
某基因treatment团队采用 Polos 光刻机开发了微米级 DNA 递送载体。通过 STL 模型直接导入,在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窝状微孔结构,载体的 DNA 负载量达 200μg/mg,较传统电穿孔法提升 5 倍。动物实验显示,该载体在肝脏靶向递送中,基因转染效率达 65%,且免疫原性降低 70%。其无掩模特性支持根据不同细胞表面受体定制载体形貌,在 CAR-T 细胞treatment中,CAR 基因导入效率从 30% 提升至 75%,相关技术已申请国际patent。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。PSP光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
某集成电路实验室利用 Polos 光刻机开发了基于相变材料的存算一体芯片。其激光直写技术在二氧化硅基底上实现了 100nm 间距的电极阵列,器件的读写速度达 10ns,较传统 SRAM 提升 100 倍。通过在电极间集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相变材料,芯片实现了计算与存储的原位融合,能效比达 1TOPS/W,较传统冯・诺依曼架构提升 1000 倍。该技术被用于边缘计算设备,使图像识别延迟从 50ms 缩短至 5ms,相关芯片已进入小批量试产阶段。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件...