如果模型文件放在其他目录下,则可以选择菜单Analyze-Model Browser..,在界面里面单击 Set Search Path按钮,然后在弹出的界面里添加模型文件所在的目录。
选择菜单Analyze —Model Assignment..,在弹出的模型设置界面中找到U100 (Controller)来设置模型。
在模型设置界面中选中U100后,单击Find Model...按钮,在弹出来的界面中删除 工具自认的模型名BGA1295-40,将其用“*”取代,再单击空白处或按下Tab键,在列岀的 模型文件中选中。
单击Load按钮,加载模型。
加载模型后,选择文件下的Controller器件模型,然后单击Assign 按钮,将这个器件模型赋置给U100器件。 DDR3一致性测试期间如何设置测试环境?眼图测试DDR3测试规格尺寸
高速DDRx总线概述
DDR SDRAM 全称为 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory» 中 文名可理解为“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR SDRAM是在原单倍速率SDR SDRAM 的基础上改进而来的,严格地说DDR应该叫作DDR SDRAM,人们习惯称之为DDR。
DDRx发展简介
代DDR (通常称为DDR1)接口规范于2000年由JEDEC组织 发布。DDR经过几代的发展,现在市面上主要流行DDR3,而的DDR4规范也巳经发 布,甚至出现了部分DDR4的产品。Cadence的系统仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 眼图测试DDR3测试规格尺寸DDR3一致性测试期间是否会影响计算机性能?
从DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,数据率成倍增加,位宽成倍减小,工作电压持续降 低,而电压裕量从200mV减小到了几十毫伏。总的来说,随着数据传输速率的增加和电压裕 量的降低,DDRx内存子系统对信号完整性、电源完整性及时序的要求越来越高,这也给系 统设计带来了更多、更大的挑战。
Bank> Rank及内存模块
1.BankBank是SDRAM颗粒内部的一种结构,它通过Bank信号BA(BankAddress)控制,可以把它看成是对地址信号的扩展,主要目的是提高DRAM颗粒容量。对应于有4个Bank的内存颗粒,其Bank信号为BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3颗粒有8个Bank,对应Bank信号为BA[2:0],在DDR4内存颗粒内部有8个或16个Bank,通过BA信号和BG(BankGroup)信号控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框图,可以从中看到芯片内部由8个Bank组成(BankO,Bankl,…,Bank7),它们通过BA[2:0]这三条信号进行控制。
DDRhDDRl釆用SSTL_2接口,1/0 口工作电压为2.5V;时钟信号频率为100〜200MHz; 数据信号速率为200〜400 Mbps,通过单端选通信号双边沿釆样;地址/命令/控制信号速率为 100〜200Mbps,通过时钟信号上升沿采样;信号走线都使用树形拓扑,没有ODT功能。
DDR2: DDR2釆用SSTL_18接口,I/O 口工作电压为1.8V;时钟信号频率为200〜 400MHz;数据信号速率为400〜800Mbps,在低速率下可选择使用单端选通信号,但在高速 率时需使用差分选通信号以保证釆样的准确性;地址/命令/控制信号在每个时钟上升沿釆样的 情况下(1T模式)速率为200〜400Mbps,在每个间隔时钟上升沿釆样的情况下(2T模式) 速率减半;信号走线也都使用树形拓扑,数据和选通信号有ODT功能。 如何进行DDR3内存模块的热插拔一致性测试?
那么在下面的仿真分析过程中,我们是不是可以就以这两个图中的时序要求作为衡量标准来进行系统设计呢?答案是否定的,因为虽然这个时序是规范中定义的标准,但是在系统实现中,我们所使用的是Micron的产品,而后面系统是否能够正常工作要取决干我们对Micron芯片的时序控制程度。所以虽然我们通过阅读DDR规范文件了解到基本设计要求,但是具体实现的参数指标要以Micron芯片的数据手册为准。换句话说,DDR的工业规范是芯片制造商Micron所依据的标准,而我们设计系统时,既然使用了Micron的产品,那么系统的性能指标分析就要以Micron的产品为准。所以,接下来的任务就是我们要在Micron的DDR芯片手册和作为控制器的FPGA数据手册中,找到类似的DDR规范的设计要求和具体的设计参数。如何执行DDR3的一致性测试?眼图测试DDR3测试规格尺寸
是否可以使用多个软件工具来执行DDR3一致性测试?眼图测试DDR3测试规格尺寸
使用SystemSI进行DDR3信号仿真和时序分析实例
SystemSI是Cadence Allegro的一款系统级信号完整性仿真工具,它集成了 Sigrity强大的 电路板、封装等互连模型及电源分布网络模型的提取功能。目前SystemSI提供并行总线分析 和串行通道分析两大主要功能模块,本章介绍其中的并行总线分析模块,本书第5章介绍串 行通道分析模块。
SystemSI并行总线分析(Parallel Bus Analysis)模块支持IBIS和HSPICE晶体管模型, 支持传输线模型、S参数模型和通用SPICE模型,支持非理想电源地的仿真分析。它拥有强 大的眼图、信号质量、信号延时测量功能和详尽的时序分析能力,并配以完整的测量分析报 告供阅读和存档。下面我们结合一个具体的DDR3仿真实例,介绍SystemSI的仿真和时序分 析方法。本实例中的关键器件包括CPU、4个DDR3 SDRAM芯片和电源模块, 眼图测试DDR3测试规格尺寸
如果模型文件放在其他目录下,则可以选择菜单Analyze-Model Browser..,在界面里面单击 Set Search Path按钮,然后在弹出的界面里添加模型文件所在的目录。 选择菜单Analyze —Model Assignment..,在弹出的模型设置界面中找到U100 (Controller)来设置模型。 在模型设置界面中选中U100后,单击Find Model...按钮,在弹出来的界面中删除 工具自认的模型名BGA1295-40,将其用“*”取代,再单击空白处或按下Tab键,在列岀的 模型文件中选中memorycontroller.ibs。 单击Loa...