本发明针对现有技术中的不足,提供了一种晶圆搬运机械手,本发明的机械手在传送过程中晶片中心始终保证直线运动,且角度不会发生改变。从而提高机械手整体刚度和承重能力,同时提高了重复定位精度。本发明结构合理性能稳定,维护方便,多功能集一身,可满足多种工艺设备要求,适用于各种半导体设备。 ...
区熔法分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长;后者主要用于硅。为什么有横着和竖着长的不同捏?这是由于硅的熔点高,化学性能活泼,容易受到异物的玷污,所以难以找到适合的器皿来盛方,自然水平区熔法不能用在硅的生长上啦。区熔法与直拉法比较大的不同之处在于:区熔法一般不使用坩锅,引入的杂质更少,生长的材料杂质含量也就更少。总而言之,单晶硅棒是圆柱形的,使用这种方法得到的单晶硅圆片自然也是圆形的了。就是下图这个样的——知道是两头的尖尖是如何造成的吗?Bingo,图左的尖尖是籽晶,图右的尖尖是晶棒长到***,从熔融态里出来后,由于复杂的流体力学原理,以及熔融态的硅迅速凝固而导致的。 机械手是能模仿人手和臂的某些动作功能,用以按固定程序抓取、搬运物件或操作工具的自动操作装置。金山区原装晶圆运送机械吸臂销售词
研究背景近年来,随着机器人技术的发展,应用高速度、高精度、 高负载自重比的机器人结构受到工业和航空航天领域的关注。由于运动过程中关节和连杆的柔性效应的增加,使结构发生变形从而使任务执行的精度降低。所以,机器人机械臂结构柔性特征必须予以考虑,实现柔性机械臂高精度有效控制也必须考虑系统动力学特性。柔性机械臂是一个非常复杂的动力学系统,其动力学方程具有非线性, 强耦合, 实变等特点。而进行柔性臂动力学问题的研究,其模型的建立是极其重要的。柔性机械臂不仅是一个刚柔耦合的非线性系统,而且也是系统动力学特性与控制特性相互耦合即机电耦合的非线性系统。动力学建模的目的是为控制系统描述及控制器设计提供依据。一般控制系统的描述( 包括时域的状态空间描述和频域的传递函数描述) 与传感器/ 执行器的定位,从执行器到传感器的信息传递以及机械臂的动力学特性密切相关。金山区原装晶圆运送机械吸臂销售词对于半导体制造应用来说,常用的机械手臂是用来搬送晶片.
本发明针对现有技术中的不足,提供了一种晶圆搬运机械手,本发明的机械手在传送过程中晶片中心始终保证直线运动,且角度不会发生改变。从而提高机械手整体刚度和承重能力,同时提高了重复定位精度。本发明结构合理性能稳定,维护方便,多功能集一身,可满足多种工艺设备要求,适用于各种半导体设备。
为了解决上述技术问题,本发明通过下述技术方案得以解决:一种晶圆搬运机械手,包括升降轴、旋转轴和伸展轴,其特征为,所述的伸展轴包括伸展电机、一级伸展臂、二级伸展臂和手指固定座,所述的一级伸展臂与所述伸展电机之间设置有一级关节,所述的一级伸展臂与所述的二级伸展臂之间设置有二级关节,所述的二级伸展臂和所述的手指固定座之间设置有三级关节,所述的伸展电机、所述的一级关节、所述的二级关节和所述的三级关节依次传动,所述的手指固定座始终保持直线运动。
9)模糊与神经网络控制。是一种语言控制器,可反映人在进行控制活动时的思维特点。其主要特点之一是控制系统设计并不需要通常意义上的被控对象的数学模型,而是需要操作者或**的经验知识,操作数据等。[3]研究意义与刚性机械臂相比较,柔性机械臂具有结构轻、载重/自重比高等特性,因而具有较低的能耗、较大的操作空间和很高的效率,其响应快速而准确,有着很多潜在的优点,在工业、**等应用领域中占有十分重要的地位.随着宇航业及机器人业的飞速发展,越来越多地采用由若干个柔性构件组成的多柔体系统.。传统的多刚体动力学的分析方法及控制方法己不能满足多柔体系统的动力分析及控制的要求.柔性机械臂作为**简单的非平凡多柔体系统,被***地用作多柔体系统的研究模型。 关节式机械手因其结构复杂。
接下来是单晶硅生长,**常用的方法叫直拉法(CZ法)。如下图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约1400 ℃,炉中的气体通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的,在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。如刚性差则会引起手臂在垂直平面内的弯曲变形和水平面内侧向扭转变形.金山区原装晶圆运送机械吸臂销售词
机械手的刚度、偏重力矩、惯性力及缓冲效果都直接影响手臂的位置精度。金山区原装晶圆运送机械吸臂销售词
基因决定”——生长方法导致若要回答这个问题,首先要说一个大约有100余年历史的原因。。。1918年,前苏联科学家切克劳斯基(Czochralski)建立起来一种晶体生长方法——直拉式晶体生长方法,简称CZ法。硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅砂的提纯及熔炼。这个阶段主要是通过溶解、提纯、蒸馏等一系列措施得到多晶硅。接下来是单晶硅生长工艺。就是从硅熔体中生长出单晶硅。高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,在保护性气氛中高温加热使其熔化。使用一颗小的籽晶缓慢地从旋转着的熔体中缓慢上升,即可垂直拉制出大直径的单晶硅锭。***一步是晶圆成型。单晶硅锭一般呈圆柱型,直径从3英寸到十几英寸不等。硅锭经过切片、抛光之后,就得到了单晶硅圆片,也即晶圆。 金山区原装晶圆运送机械吸臂销售词
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