稳压管和二极管有重要区别。第1，二极管一般在正向电压下人作，稳压管则在反向击穿状态下工作，二者用法不同；第二，普通二极管的反向击穿电压一般在 40V以上，高的可达几百伏至上千伏，而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡，即反向击穿电压的范围较大，动态电阻也比较大。对于稳压管，当反向电压超过其工作电压Vz（亦称齐纳电压或稳定电压）时，反向电流将...

  稳压二极管稳定电压：在稳定电流（Iz）、温度系数（Ctv）、动态电阻（Rz）、耗散功率（Pz）这些二极管参数中，稳定电压（VZ, Zener Voltage Range）是表征稳压二极管的特征参数。稳定电压（VZ)通常以标准值表示，并带有一定偏差范围。稳压二极管参数——稳定电压的具体数值用管子编号的后几位数字表示。需要注意的是，如同稳压二...

  MOSFET知识介绍：Eoss，输出容能量，表示输出电容Coss在MOSFET存储的能量大小。由于MOSFET的输出电容Coss有非常明显的非线性特性，随Vds电压的变化而变化。所以如果datasheet提供了这个参数，对于评估MOSFET的开关损耗很有帮助。并非所有的MOSFET手册中都会提供这个参数，事实上大部分datasheet并不...

  防雷元器件中的陶瓷气体放电管的选用原则：作为瞬变干扰抑制保护器件，气体放电管选型同样要保证接入电路可以对浪涌电压进行箝位，又要保证不能影响电路正常工作过程。综合来讲有几个点：1）受保护电子设备的正常工作电压要保证低于气体放电管的直流击穿电压较小值，且有一定余量。2）气体放电管的吸收能力强，但是吸收速度很低（0.1~0.3μs），适合作为第...

  防雷器件中应用较普遍的是陶瓷燃气放电管，因此陶瓷燃气放电管是应用较普遍的防雷器件，无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷，陶瓷燃气放电管都能起到很好的防护作用。其较大的特点是通流量大，级间电容量小，绝缘电阻高，破坏电压的可选范围大。玻璃放电管(放电管)是20世纪末新发售的防雷部件，兼具陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点:绝缘电阻高(≥...

  当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如图3所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MO...

  MOSFET的相关知识介绍：Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压...

  MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层， 在N区上方用腐蚀的方法做成两...

  常见的MOSFET技术：双栅极MOSFET，双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency,RF）集成电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。耗尽型MOSFET，一般而言，耗尽型（depleti...

  MOSFET的 ：金属—氧化层—半导体电容gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的 漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS...

  MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度单有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（so...

  什么是ESD呢?这是当两个带电物体(例如人体和电子设备)彼此接触时，便会释放出静电，这种现象便称为ESD。从人体产生的ESD可以是几千伏的量级，当该高压脉冲进入被触摸的电子设备时，将导致其内部的IC电路的故障或破坏。为了防止由于ESD侵入被触摸的电子设备而导致的产品或系统破坏，便需要安装抑制或消除ESD的对应元器件。在高速电量传输过程中易...