MOSFET的应用广，随著MOSFET技术的不断演进，CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代传统的多晶硅电阻（poly resistor），或是MOS电容本身可...

  理解MOSFET的几个常用参数VDS，即漏源电压，这是MOSFET的一个极限参数，表示MOSFET漏极与源极之间能够承受的较大电压值。需要注意的是，这个参数是跟结温相关的，通常结温越高，该值较大。RDS(on)，漏源导通电阻，它表示MOSFET在某一条件下导通时，漏源极之间的导通电阻。这个参数与MOSFET结温，驱动电压Vgs相关。在一定...

  在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定...

  数字电路对MOSFET的帮助：数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中较快的一种。MOSFET在数字信号处理上较主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构较大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic...

  MOSFET的结构：用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起，...

  开关型过压器件就是我们熟知的防雷器件：陶瓷气体放电管、半导体放电管和玻璃放电管；钳位型过压器件有瞬态抑制二极管、压敏电阻、贴片压敏电阻和ESD放电二极管；过流器件则以PTC元件自恢复保险丝为主。防雷器件正常工作时，防雷器件是断开的；当雷击浪涌来的时候，防雷器件导通，将浪涌电流泄放到大地，从而保护了电子设备免受浪涌冲击损坏。防雷元器件的一般...

  防雷元器件中的陶瓷气体放电管参数：(一)DC Spark-over Voltage直流火花放电电压（直流击穿电压），GDT的直流放电电压是指施加缓慢升高的直流电压时，GDT火花放电时的电压，也称直流击穿电压。在上升陡度低于100V/s的电压作用下测量，GDT应不施加电压在黑暗中放置至少24小时，并采用试验回路进行测量。由于放电具有分散性，...

  开关型防雷器件和限压型防雷器件的区别：开关型防雷器件为间隙放电型器件，其雷电能量泻放能力大，在线路上使用的主要作用是泄放雷电能量；限压型防雷器件为氧化锌压敏电阻器件，其雷电能量泻放能力小，但其过电压抑制能力好，在线路上使用的主要作用是限制过电压。因此，一般在建筑物入口处选用如开关型防雷器件来泄放雷电能量，然后，在后级电路使用限压型防雷器件...

  市场中常见的防雷器件有以下几种：半导体放电管、陶瓷气体放电管和玻璃放电管（放电管）。在防雷设计中， 合理选择防雷元器件是不可或缺的一环，防雷元器件对保证电路稳定性非常重要。防雷元器件可以分为开关元件类、限压元件类和防过流和过热保护元件类三 大类，具体选用哪种应当根据具体的应用进行分析，合理选择。使用注意事项：1.开关元件不能单独跨接在有源...

  MOSFET应用优势：场效应晶体管是电压控制元件，而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用双极晶体管。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比双极晶体管好。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体...

  ESD对IC的损伤主要有两类，即大电流产生局部热量、高电场损伤绝缘层，都会导致电路或者器件功能性能的异常。ESD保护的基本原理就是并联保护器件，以此泄放大电流和钳位高电压，避免对内部电路造成损伤。保护的原理已经非常清楚，那么在具体实施过程中，一种方式是减少静电的产生，例如静电手套、指套、离子风扇等中和静电，这样就减少了芯片受到的ESD威胁...

  MOSFET也被称为电压控制器件，因为栅极的电压量控制着电流从漏极到源极的流动。同样，没有电流从栅极流出。还有另一种称为耗尽型的MOSFET。除了在掺杂时也形成沟道以外，与增强型相似，即，默认情况下，耗尽型存在由增强型的栅极电压形成的沟道，所有其他工作原理都相同，不同的是，耗尽型需要一个负栅极电压来关闭它，它通常打开（常闭），而增强型通常...