氧化石墨烯技术

石墨烯是碳材料家族的新成员，它是由碳原子以sp2杂化轨道组成的只具有一个原子层厚度的单层片状结构材料。同碳纳米管一样，石墨烯也以其诸多优点而被广泛的应用于储能电池领域:(1)石墨烯具有极高的比表面积，其理论值高达2600m2/g［16］，这使得石墨烯基复合电极有着很好的电解液相容性;(2)石墨烯的电导率远超其他碳材料，以石墨烯为导电结构的复合电极材料可以发挥优异的倍率性能;(3)石墨烯衍生物如氧化石墨烯(GO)与还原氧化石墨烯(ＲGO)上含有的大量官能团与缺陷位可以作为多种金属及金属氧化物纳米粒子的生长位点。这种由石墨烯矩阵组成的复合结构可以有效的抑制纳米电极材料在充放电过程中的团聚现象及电极巨大的体积变化，从而增强电极材料的容量保持率与循环稳定性。石墨烯型号为SE1231、SE1232、SE1233、SE1234。氧化石墨烯技术

由于氧化墨烯表面仔在大：的钣I{能川．丧脱f{{良好的亲水性．昕以不仪能高度分散厂水溶液或j他仃饥剂中．而且在一定反应条件F能转变幻彳f维忖架纳fj1J的1，烯水凝胶或气凝胶。当前二维r烯常川I制衙‘法』三要仃水热法、化学气相沉积法、自组装法干¨31)¨印法2．3．1水热法水热法是制备三维石墨烯凝胶**l】的‘法。水热条件下，氧化石墨烯结构中的含瓴If能Ⅲ逐渐被还，轭结构逐渐被修复，还原后的石墨烯，；之Ihjfl0电斥力减小．压力作用下形成了相交驳的骨架状r烯水凝胶。Iji等…将氧化石墨超声分散】l8O(卜水热眨心l．制得海绵状的三维什墨烯气凝胶。j际比太f!l达l32I31。。·g。．具有比膨胀墨和其他仃机【】发I；付制＆r的ll殷附能Wu等。利用水热法合成了连通，、孔人小为一9～3．5nnl、岛比表而积和低质蛀密度的彩孔状-2II：r烯凝胶。此外．Song等利用该法成功i火僻J能II殷附水又能吸附油的双亲性多功能墨烯泡沭。氧化石墨烯技术常州第六元素的子公司南通第六元素的生产规模在国内居首。

自碳纳米管(CNTs)在1991年被Iijima报道以来［10］，这种具有一维纳米尺寸的管状碳材料以其独特的力学、电学、热学及光学特性，在电极材料、医学、储氢装置和催化剂等诸多领域［11～13］得到了广泛的应用。锂离子电池领域是碳纳米管相当有潜力的应用方向之一。首先，碳纳米管自身就是一种***的锂离子电池负极材料;其次，碳纳米管尤其是使用化学气相沉积技术制备的定向生长的三维碳纳米管阵列具备优异的机械强度，并且由于其独特的弹道电子传导效应及抗电迁移能力，其电导率可高达105S/m［14］。将其作为三维导电结构或导电添加剂加入到其他电极材料之中，不但可提高复合电极的电子与离子传输能力，还可***增强电极的机械性能。

氧化石墨烯的主要应用：1、石墨烯可以做成化学传感器，这个过程主要是通过石墨烯的表面吸附性能来完成的，根据部分学者的研究可知，石墨烯化学探测器的灵敏度可以与单分子检测的极限相比拟。石墨烯独特的二维结构使它对周围的环境非常敏感。石墨烯是电化学生物传感器的理想材料，石墨烯制成的传感器在医学上检测多巴胺、葡萄糖等具有良好的灵敏性。2、石墨烯可以用来制作晶体管，由于石墨烯结构的高度稳定性，这种晶体管在接近单个原子的尺度上依然能稳定大氏地工作。相比之下，目前以硅为材料的晶体管在10纳米左右的尺度上就会失去稳定性；石墨烯中电子对外场的反应速度超快这一特点，又使得由它制成的晶体管可以达到极高的工作频率。应用于锂电正负极材料，还可以应用于橡胶、塑料、树脂、纤维等高分子复合材料领域。

智能手机、平板电脑等便携式设备的普及为人们的生活带来了极大的便利。但是，其中的高速处理器等电子组件会产生不良的电磁能量，这不仅会损害电子组件自身的使用寿命、干扰其他组件的功能，还会对人体健康带来危害。石墨烯薄膜具有优异的电学性能及热学性能，被认为是相当有发展前景的超薄电磁屏蔽材料。郑**教授团队［５６］通过蒸发自组装法制备了大面积ＧＯ薄膜。经过石墨化处理后，所得石墨烯薄膜具有出色的性能，其电磁屏蔽性能和面内热导率分别可达２０ｄＢ、１１００ＷＦｅｎｇＷ等人通过叠层热压技术成功制备了含有石墨烯纳米片（ＧＮＰ）和Ｎｉ纳米链的复合膜（ＨＡＭＳ）。通过将Ｎｉ纳米链和ＧＮＰ选择性地分布在不同的层中，其比较好电导率、屏蔽效果和面内热导率分别可以达到７６．８Ｓｍ＇５１．４ｄＢ和８．９６ＷＨ１－１Ｋ－１。玻纤增强复合料材质地轻、流动性好，良好的加工性能。氧化石墨烯技术

氧化石墨烯是制备导热膜的主要原料。氧化石墨烯技术

涂膜法是一种操作简单、效率相对较高的制备方法，常见的涂膜法可分为喷涂法和旋涂法两种。３〇＾０山６［４６］等人将００悬浮液喷涂在预热后的５１／３丨０２基材上，待溶剂完全蒸发后得到石墨烯薄膜。在喷涂过程中，可通过调节喷雾持续时间和分散液浓度来精确地控制ＧＯ片的厚度及密度，进一步还原后所得到的石墨烯薄膜可作为Ｐ型半导体，并表现出良好的场效应响应。除了普遍使用的喷涂法之外，Ｌｉａｎ［４７］等人将电喷雾沉积法与卷对卷工艺相结合，经过机械压实和２２００°Ｃ高温处理后得到***石墨烯薄膜，热导率比较高可达１４３４Ｗｎｒ１Ｋ－１，并且可实现大面积生产。Ｂａｏ［４］等人将ＧＯ分散液沉积在强氧化剂处理过的玻璃基材表面，并使基材分别以５００ｒｐｍ、８００ｒｐｍ和１６００ｒｐｍ的速度旋转３０ｓ，***在１００°Ｃ烘箱中干燥得到超薄石墨烯薄膜，其电阻可降低至１〇２？ｌ〇３ｎｎｒ２范围之间，透光率高达８０％，在透明导体方向有着良好的应用前景。氧化石墨烯技术