• 化学反应：
◦ 正性胶：曝光后光敏剂（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在碱性显影液中溶解；
◦ 负性胶：曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。
5. 显影（Development）
• 显影液：
◦ 正性胶：碱性水溶液（如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH），溶解曝光区域；
◦ 负性胶：有机溶剂（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光区域。
• 方法：喷淋显影（PCB）或沉浸式显影（半导体），时间30秒-2分钟，需控制显影液浓度和温度。
6. 后烘（Post-Bake）
• 目的：固化胶膜，提升耐蚀刻性和热稳定性。
• 条件：
◦ 温度：100-150℃（半导体用正性胶可能更高，如180℃）；
◦ 时间：15-60分钟（厚胶或高耐蚀需求时延长）。
7. 蚀刻/离子注入（后续工艺）
• 蚀刻：以胶膜为掩膜，通过湿法（酸碱溶液）或干法（等离子体）刻蚀基板材料（如硅、金属、玻璃）；
• 离子注入：胶膜保护未曝光区域，使杂质离子只能注入曝光区域（半导体掺杂工艺）。
8. 去胶（Strip）
• 方法：
◦ 湿法去胶：强氧化剂（如硫酸+双氧水）或有机溶剂（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
◦ 干法去胶：氧等离子体灰化（半导体领域，无残留）。
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纳米压印光刻胶
微纳光学器件制造：制作衍射光学元件、微透镜阵列等微纳光学器件时，纳米压印光刻胶可实现高精度的微纳结构复制。通过纳米压印技术，将模板上的微纳图案转移到光刻胶上，再经过后续处理，可制造出具有特定光学性能的微纳光学器件，应用于光通信、光学成像等领域。
生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白质芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面构建高精度的微纳结构，用于生物分子的固定和检测。纳米压印光刻胶可帮助实现这些精细结构的制作，提高生物芯片的检测灵敏度和准确性。
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吉田半导体 YK-300 正性光刻胶：半导体芯片制造的材料
YK-300 正性光刻胶以高分辨率与耐蚀刻性，成为 45nm 及以上制程的理想选择。
YK-300 正性光刻胶分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于半导体芯片前道工艺。其耐溶剂性与绝缘阻抗性能突出，在显影与蚀刻过程中保持图形稳定性。产品已通过中芯国际量产验证，良率达 98% 以上，生产过程执行 ISO9001 标准，帮助客户降低封装成本 20% 以上。支持小批量试产与定制化需求，为国产芯片制造提供稳定材料支撑。
吉田半导体水性感光胶 JT-1200：水油兼容，钢片加工精度 ±5μm
JT-1200 水性感光胶解决钢片加工难题，提升汽车电子部件制造精度。
针对汽车电子钢片加工需求，吉田半导体研发的 JT-1200 水性感光胶实现水油兼容性达 100%，加工精度 ±5μm。其高粘接强度与耐强酸强碱特性，确保复杂结构的长期可靠性。其涂布性能优良，易做精细网点，适用于安全气囊传感器、车载摄像头模组等精密部件。产品通过 IATF 16949 汽车行业认证，生产过程严格控制金属离子含量，确保电子产品可靠性。
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生产设备与工艺：从设计到制造的“木桶效应”
前端设备的进口依赖
光刻胶生产所需的超临界流体萃取设备、纳米砂磨机等关键装备被德国耐驰、日本光洋等企业垄断。国内企业如拓帕实业虽推出砂磨机产品，但在研磨精度（如纳米级颗粒分散）上仍落后于国际水平。
工艺集成的系统性短板
光刻胶生产涉及精密混合、过滤、包装等环节，需全流程数字化控制。国内企业因缺乏MES（制造执行系统）等智能管理工具，导致批次一致性波动。例如，鼎龙股份潜江工厂的KrF光刻胶产线虽实现自动化，但工艺参数波动仍较日本同类产线高约10%。
技术突破加速国产替代，国产化布局赢得市场。合肥PCB光刻胶供应商
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吉田半导体的自研产品已深度融入国内半导体产业链：
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芯片制造：YK-300 光刻胶服务中芯国际、长江存储，支持国产 14nm 芯片量产。
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显示面板：YK-200 LCD 光刻胶市占率达 15%，成为京东方、华星光电战略合作伙伴。
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新能源领域：无卤无铅焊片通过 UL 认证，批量应用于宁德时代储能系统，年供货量超 500 吨。
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研发投入：年研发费用占比超 15%，承担国家 02 专项课题，获 “国家技术发明二等奖”。
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产能规模：光刻胶年产能 5000 吨，纳米压印光刻胶占全球市场份额 15%。
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质量体系：通过 ISO9001、IATF 16949 等认证，生产过程执行 8S 管理，批次稳定性达 99.5%。
吉田半导体将继续聚焦光刻胶研发，加速 EUV 光刻胶与木基材料技术突破，目标在 2027 年前实现 7nm 制程材料量产。同时，深化国产供应链协同，构建 “材料 - 设备 - 工艺” 一体化生态圈，为中国半导体产业自主化贡献 “吉田力量”。
从突破国际垄断到行业标准，吉田半导体以自研自产为引擎，走出了一条中国半导体材料企业的崛起之路。未来，公司将以更具竞争力的产品与技术，助力中国半导体产业迈向更高台阶。
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