企业商机

烟台紫外光刻胶感光胶

半导体集成电路 • 应用场景： ◦ 晶圆制造：正性胶为主（如ArF/EUV胶），实...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

半导体集成电路

• 应用场景：

◦ 晶圆制造：正性胶为主（如ArF/EUV胶），实现20nm以下线宽，用于晶体管栅极、接触孔等精细结构；

◦ 封装工艺：负性胶用于凸点（Bump）制造，厚胶（5-50μm）耐电镀溶液腐蚀。

• 关键要求：高分辨率、低缺陷率、耐极端工艺（如150℃以上高温、等离子体轰击）。

印刷电路板（PCB）

• 应用场景：

◦ 线路成像：负性胶（如环化橡胶胶）用于双面板/多层板外层线路，线宽≥50μm，耐碱性蚀刻液（如氯化铜）；

◦ 阻焊层：厚负性胶（50-100μm）覆盖非焊盘区域，耐260℃焊接温度和助焊剂腐蚀；

◦ 挠性PCB（FPC）：正性胶用于精细线路（线宽≤20μm），需耐弯曲应力。

• 优势：工艺简单、成本低，适合大面积基板（如1.2m×1.0m的PCB基板）。

平板显示

• 应用场景：

◦ 彩色滤光片：正性胶制作黑矩阵（BM）和RGB色阻间隔层，耐UV固化和湿法蚀刻（如HF溶液）；

◦ OLED像素定义：负性胶形成像素开口（孔径5-50μm），耐有机溶剂（如OLED蒸镀前的清洗液）；

◦ 触控面板：正性胶制作透明电极（如ITO线路），线宽≤10μm，需透光率＞90%。

• 关键参数：高透光性、低收缩率（避免图案变形）。

告别显影残留！化学增幅型光刻胶助力封装。烟台紫外光刻胶感光胶

纳米压印光刻胶

微纳光学器件制造：制作衍射光学元件、微透镜阵列等微纳光学器件时，纳米压印光刻胶可实现高精度的微纳结构复制。通过纳米压印技术，将模板上的微纳图案转移到光刻胶上，再经过后续处理，可制造出具有特定光学性能的微纳光学器件，应用于光通信、光学成像等领域。

生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白质芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面构建高精度的微纳结构，用于生物分子的固定和检测。纳米压印光刻胶可帮助实现这些精细结构的制作，提高生物芯片的检测灵敏度和准确性。

珠海UV纳米光刻胶工厂发展战略与行业地位。

广东吉田半导体材料有限公司成立于 2023 年，总部位于东莞松山湖经济技术开发区，注册资本 2000 万元。作为高新企业和广东省专精特新企业，公司专注于半导体材料的研发、生产与销售，产品线覆盖芯片光刻胶、LCD 光刻胶、纳米压印光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等领域。其光刻胶产品以高分辨率、耐蚀刻性和环保特性著称，广泛应用于芯片制造、显示面板及精密电子元件生产。

公司依托 23 年行业经验积累，构建了完整的技术研发体系，拥有全自动化生产设备及多项技术。原材料均选用美国、德国、日本进口的材料，并通过 ISO9001:2008 质量管理体系认证，生产流程严格执行 8S 现场管理标准，确保产品稳定性与一致性。目前，吉田半导体已与多家世界 500 强企业及电子加工企业建立长期合作，产品远销全球市场，致力于成为半导体材料领域的企业。

吉田半导体 YK-300 正性光刻胶：半导体芯片制造的材料

YK-300 正性光刻胶以高分辨率与耐蚀刻性，成为 45nm 及以上制程的理想选择。
YK-300 正性光刻胶分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于半导体芯片前道工艺。其耐溶剂性与绝缘阻抗性能突出，在显影与蚀刻过程中保持图形稳定性。产品已通过中芯国际量产验证，良率达 98% 以上，生产过程执行 ISO9001 标准，帮助客户降低封装成本 20% 以上。支持小批量试产与定制化需求，为国产芯片制造提供稳定材料支撑。

吉田半导体公司基本概况。

国际厂商策略调整

应用材料公司获曝光后处理，可将光刻胶工艺效率提升40%。杜邦因反垄断调查在中国市场面临压力，但其新一代乾膜式感光型介电质材料（CYCLOTENE DF6000 PID）仍在推进，试图通过差异化技术维持优势。日本企业则通过技术授权（如东京应化填补信越产能缺口）维持市场地位。

国内产业链协同升级

TSMC通过租赁曝光设备帮助供应商降低成本，推动光刻胶供应链本地化，其中国台湾EUV光刻胶工厂年产能达1000瓶，产值超10亿新台币。国内企业借鉴此模式，如恒坤新材通过科创板IPO募资15亿元，建设集成电路前驱体项目，形成“光刻胶-前驱体-设备”协同生态。

技术标准与壁垒

美国实体清单限制日本厂商对华供应光刻胶，中国企业需突破。例如，日本在EUV光刻胶领域持有全球65%的，而中国只占12%。国内企业正通过产学研合作（如华中科技大学与长江存储联合攻关）构建自主知识产权体系。

聚焦封装需求，吉田公司提供从光刻胶到配套材料的一姑式服务。苏州负性光刻胶工厂

产业链配套：原材料与设备协同发展。烟台紫外光刻胶感光胶

关键工艺流程

涂布：

◦ 在晶圆/基板表面旋涂光刻胶，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度调整），需均匀无气泡（旋涂转速500-5000rpm）。

前烘（Soft Bake）：

◦ 加热（80-120℃）去除溶剂，固化胶膜，增强附着力（避免显影时边缘剥离）。

曝光：

◦ 光源匹配：

◦ G/I线胶：汞灯（适用于≥1μm线宽，如PCB、LCD）。

◦ DUV胶（248nm/193nm）：KrF/ArF准分子激光（用于28nm-14nm制程，如存储芯片）。

◦ EUV胶（13.5nm）：极紫外光源（用于7nm以下制程，需控制纳米级缺陷）。

◦ 曝光能量：需精确控制（如ArF胶约50mJ/cm²），避免过曝或欠曝导致图案失真。

显影：

◦ 采用碱性溶液（如0.262N四甲基氢氧化铵，TMAH），曝光区域胶膜溶解，未曝光区域保留，形成三维立体图案。

后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：

◦ 化学增幅型胶需此步骤，通过加热（90-130℃）激发光酸催化反应，提高分辨率和耐蚀刻性。

烟台紫外光刻胶感光胶

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