重庆厚膜光刻胶感光胶

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。

厚板光刻胶：JT-3001 型号，具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好，符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺，如特定电路板制造。

负性光刻胶

• SU-3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应，重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。

正性光刻胶 正性光刻胶生产厂家。重庆厚膜光刻胶感光胶

• LCD 正性光刻胶 YK-200：具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力，重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺，确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
• 半导体正性光刻胶 YK-300：具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性，重量 100g。主要用于半导体制造工艺，满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。

作为东莞松山湖的企业，吉田半导体深耕光刻胶领域 23 年，成功研发出 YK-300 半导体正性光刻胶与 JT-2000 纳米压印光刻胶。YK-300 适用于 45nm 及以上制程，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，良率达 98% 以上，已通过中芯国际等晶圆厂验证；JT-2000 突破耐高温极限，在 250℃复杂环境下仍保持图形稳定性，适用于 EUV 光刻前道工艺。依托进口原材料与全自动化生产工艺，产品通过 ISO9001 认证及欧盟 RoHS 标准，远销全球并与跨国企业建立长期合作，加速国产替代进程。惠州LCD光刻胶生产厂家自研自产的光刻胶厂家。

光刻胶作为半导体、显示面板等高级制造的材料，其技术挑战主要集中在材料性能优化、制程精度匹配、复杂环境适应性以及产业自主化突破等方面

1. 正性光刻胶（如 YK-300）
   应用场景：用于芯片的精细图案化，如集成电路（IC）、分立器件（二极管、三极管）的制造。
   特点：高分辨率（可达亚微米级），适用于多层光刻工艺，确保芯片电路的高精度与可靠性。
2. 负性光刻胶（如 JT-1000）
   应用场景：用于功率半导体（如 MOSFET、IGBT）的制造，以及传感器（如 MEMS）的微结构成型。
   特点：抗蚀刻能力强，适合复杂图形的转移，尤其在深宽比要求较高的工艺中表现优异。
3. 纳米压印光刻胶（JT-2000）
   应用场景：第三代半导体（GaN、SiC）芯片、量子点器件及微流控芯片的制造。特点：耐高温（250℃）、耐酸碱，支持纳米级精度图案复制，降低芯片的制造成本。

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。

UV 纳米压印光刻胶：JT-2000 型号，耐强酸强碱，耐高温达 250°C，长期可靠性高，粘接强度高，重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺，如半导体器件制造。

其他光刻胶

• 水油光刻胶 JT-2001：属于水油两用光刻胶，具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点，重量 1L。
• 水油光刻胶 SR-3308：同样为水油两用光刻胶，重量 5L，具备上述通用优势，应用场景。

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聚焦先进封装需求，吉田半导体提供从光刻胶到配套材料的一站式服务，助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片与 AI 处理器封装领域，吉田半导体研发的 SU-3 负性光刻胶支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，为高密度金属互连提供可靠支撑。其 BGA 助焊膏采用低温固化技术（180℃），焊接空洞率 < 5%；针筒锡膏适用于 01005 超微型元件，印刷精度达 ±5μm。通过标准化实验室与快速响应团队，公司为客户提供工艺优化建议，帮助降低生产成本，增强市场竞争力。重庆厚膜光刻胶感光胶