作为东莞松山湖的企业,吉田半导体深耕光刻胶领域 23 年,成功研发出 YK-300 半导体正性光刻胶与 JT-2000 纳米压印光刻胶。YK-300 适用于 45nm 及以上制程,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,良率达 98% 以上,已通过中芯国际等晶圆厂验证;JT-2000 突破耐高温极限,在 250℃复杂环境下仍保持图形稳定性,适用于 EUV 光刻前道工艺。依托进口原材料与全自动化生产工艺,产品通过 ISO9001 认证及欧盟 RoHS 标准,远销全球并与跨国企业建立长期合作,加速国产替代进程。深圳光刻胶厂家哪家好?山东水油光刻胶工厂
纳米电子器件制造
• 半导体芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻胶(分辨率≤10nm)用于制备晶体管栅极、纳米导线等关键结构,实现芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶体管)。
• 二维材料器件:在石墨烯、二硫化钼等二维材料表面,通过电子束光刻胶定义纳米电极阵列,构建单原子层晶体管或传感器。
纳米光子学与超材料
• 光子晶体与波导:利用光刻胶制备亚波长周期结构(如光子晶体光纤、纳米级波导弯头),调控光的传播路径,用于集成光路或量子光学器件。
• 超材料设计:在金属/介质基底上刻蚀纳米级“鱼网状”“蝴蝶结”等图案(如太赫兹超材料),实现对电磁波的超常调控(吸收、偏振转换)。
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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。
LCD 正性光刻胶 YK - 200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力的特点,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,能确保 LCD 生产过程中图形的精确转移和良好的涂布效果。
半导体正性光刻胶 YK - 300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蚀的特性,适用于在有腐蚀风险的光刻工艺中,比如一些特殊环境下的半导体加工或电路板制造。
国际标准与客户认证
公司通过ISO9001、ISO14001等认证,并严格执行8S现场管理,生产环境洁净度达Class 10级。其光刻胶产品已通过京东方、TCL华星的供应商认证,在显示面板领域的市占率约5%,成为本土企业中少数能与日本JSR、德国默克竞争的厂商。
全流程可追溯体系
吉田半导体建立了从原材料入库到成品出库的全流程追溯系统,关键批次数据(如树脂分子量分布、光敏剂纯度)实时上传云端,确保产品一致性和可追溯性。这一体系使其在车规级芯片等对可靠性要求极高的领域获得突破,2023年车用光刻胶销售额同比增长120%。
松山湖企业深耕光刻胶领域二十载,提供全系列半导体材料解决方案。
作为中国半导体材料领域的企业,吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略,通过 23 年技术沉淀与持续创新,成功突破多项 “卡脖子” 技术,构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域,为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作,在光刻胶领域实现多项技术突破:
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YK-300 正性光刻胶:分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于 45nm 及以上制程,良率达 98% 以上,成本较进口产品降低 40%,已通过中芯国际量产验证。
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SU-3 负性光刻胶:支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,成功应用于高通 5G 基带芯片封装,良率提升至 98.5%。
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JT-2000 纳米压印光刻胶:突破 250℃耐高温极限,图形保真度 > 95%,性能对标德国 MicroResist 系列,已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
光刻胶半导体领域的应用。广州水性光刻胶感光胶
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在半导体材料领域,广东吉田半导体材料有限公司凭借 23 年技术沉淀,已成为国内光刻胶行业的企业。公司产品线覆盖正性、负性、厚膜、纳米压印等多类型光刻胶,广泛应用于芯片制造、LCD 显示、PCB 电路板等领域。
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技术:自主研发的光刻胶产品具备高分辨率(如 JT-3001 厚板光刻胶)、高感光度(如 JT-1000 负性光刻胶)及抗深蚀刻性能,部分指标达到水平。
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严苛品控:生产过程严格遵循 ISO9001 体系,材料进口率 100%,并通过 8S 现场管理确保制程稳定性。
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定制化服务:支持客户需求定制,例如为特殊工艺开发光刻胶,满足多样化场景需求。
公司位于松山湖开发区,依托产业园区资源,持续加大研发,与科研机构合作推动技术升级。目前,吉田半导体已服务全球数千家客户,以 “匠心品质、售后无忧” 的理念赢得市场口碑。
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