吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001:国产技术助力 PCB 行业升级
JT-3001 厚板光刻胶支持 500nm/min 深蚀刻,成为国产 PCB 电路板制造推荐材料。
吉田半导体自主研发的 JT-3001 厚板光刻胶,分辨率 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,适用于高密度 PCB 制造。其无卤无铅配方通过欧盟 RoHS 认证,已应用于华为 5G 基站主板量产。产品采用国产原材料与全自动化工艺,批次稳定性达 99.5%,帮助客户提升生产效率 20%,加速国产 PCB 行业技术升级,推动 PCB 行业国产化进程。
技术突破加速国产替代,国产化布局赢得市场。湖南油性光刻胶国产厂商
技术优势:23年研发沉淀与细分领域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻胶研发中实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如,其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系,实现了3μm的分辨率,适用于MEMS传感器、光学器件等领域。
技术壁垒:公司拥有23年光刻胶研发经验,掌握光刻胶主要原材料(如树脂、光酸)的合成技术,部分原材料纯度达PPT级。
细分领域技术先进
◦ 纳米压印光刻胶:在纳米级图案化领域(如量子点显示、生物芯片)实现技术突破,分辨率达3μm,填补国内空缺。
◦ LCD光刻胶:针对显示面板行业需求,开发出高感光度、高对比度的光刻胶,适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术。
研发投入与合作
公司2018年获高新技术性企业认证,与新材料领域同伴们合作开发半导体光刻胶,计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发。
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厚板光刻胶
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电路板制造:在制作对线路精度和抗蚀刻性能要求高的电路板时,厚板光刻胶可确保线路的精细度和稳定性,比如汽车电子、工业控制等领域的电路板,能承受复杂环境和大电流、高电压等工况。
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功率器件制造:像绝缘栅双极晶体管(IGBT)这类功率器件,需要承受高电压和大电流,厚板光刻胶可用于其芯片制造过程中的光刻环节,保障芯片内部电路的精细布局,提高器件的性能和可靠性。
负性光刻胶
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半导体制造:在芯片制造过程中,用于制作一些对精度要求高、图形面积较大的结构,如芯片的金属互连层、接触孔等。通过负性光刻胶的曝光和显影工艺,能实现精确的图形转移,确保芯片各部分之间的电气连接正常。
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平板显示制造:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)的制造中,用于制作电极、像素等大面积图案。以 LCD 为例,负性光刻胶可帮助形成液晶层与玻璃基板之间的电极图案,控制液晶分子的排列,从而实现图像显示。
吉田半导体突破光刻胶共性难题,提升行业生产效率,通过优化材料配方与工艺,吉田半导体解决光刻胶留膜率低、蚀刻损伤等共性问题,助力客户降本增效。
针对传统光刻胶留膜率低、蚀刻损伤严重等问题,吉田半导体研发的 T150A KrF 光刻胶留膜率较同类产品高 8%,密集图形侧壁垂直度达标率提升 15%。其纳米压印光刻胶采用特殊交联技术,在显影过程中减少有机溶剂对有机半导体的损伤,使芯片良率提升至 99.8%。这些技术突破有效降低客户生产成本,推动行业生产效率提升。半导体芯片制造,用于精细电路图案光刻,决定芯片性能与集成度。
工艺流程
• 目的:去除基板表面油污、颗粒,增强感光胶附着力。
• 方法:
◦ 化学清洗(硫酸/双氧水、去离子水);
◦ 表面处理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化处理)。
涂布(Coating)
• 方式:
◦ 旋涂:半导体/显示领域,厚度控制精确(纳米至微米级),转速500-5000rpm;
◦ 喷涂/辊涂:PCB/MEMS领域,适合大面积或厚胶(微米至百微米级,如负性胶可达100μm)。
• 关键参数:胶液黏度、涂布速度、基板温度(影响厚度均匀性)。
前烘(Soft Bake)
• 目的:挥发溶剂,固化胶膜,增强附着力和稳定性。
• 条件:
◦ 温度:60-120℃(正性胶通常更低,如90℃;负性胶可至100℃以上);
◦ 时间:5-30分钟(根据胶厚调整,厚胶需更长时间)。
曝光(Exposure)
• 光源:
◦ 紫外光(UV):G线(436nm)、I线(365nm)用于传统光刻(分辨率≥1μm);
◦ 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半导体先进制程(分辨率至20nm);
◦ 极紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性胶适用)。
• 曝光方式:
◦ 接触式/接近式:掩膜版与胶膜直接接触(PCB、MEMS,低成本但精度低);
◦ 投影式:通过物镜聚焦(半导体,分辨率高,如ArF光刻机精度达22nm)。
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人才与生态:跨学科团队的“青黄不接”
前段人才的结构性短缺
光刻胶研发需材料化学、半导体工艺、分析检测等多领域。国内高校相关专业毕业生30%进入光刻胶行业,且缺乏具有10年以上经验的工程师。日本企业通过“技术导师制”培养人才,而国内企业多依赖“挖角”,导致技术传承断裂。
产业链协同的“孤岛效应”
光刻胶研发需与晶圆厂、设备商、检测机构深度协同。国内企业因信息不对称,常出现“材料性能与工艺需求不匹配”问题。例如,某国产KrF光刻胶因未考虑客户产线的显影液参数,导致良率损失20%。
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