氮化铝陶瓷基板作为一种新型陶瓷基板,具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。作为DPC、DBC、AMB等陶瓷覆铜板的陶瓷基板之一,氮化铝陶瓷基板用量十分巨大。因制备难度较大,目前国内氮化铝陶瓷基板仍以进口为主。氮化铝具有六方纤锌矿晶体结构,具有密度低、强度高、耐热性好、导热系数高、耐腐蚀等优点。由于铝和氮的原子序数小,氮化铝本身具有很高的热导率,其理论热导率可达319W/m·K。然而,在实际产品中,氮化铝的晶体结构不能完全均均匀分布,并且存在许多杂质和缺陷,使得其热导率低至170-230W/m·K。氮化铝粉体的制备工艺主要有直接氮化法和碳热还原法。球形氮化铝多少钱
氮化铝在陶瓷在常温和高温下都具有良好的耐蚀性、稳定性,在2450℃下才会发生分解,可以用作高温耐火材料,如坩埚、浇铸模具。氮化铝陶瓷能够不被铜、铝、银等物质润湿以及耐铝、铁、铝合金的溶蚀,可以成为良好的容器和高温保护层,如热电偶保护管和烧结器具;也可以抵御高温腐蚀性气体的侵蚀,用于制备氮化铝陶瓷静电卡盘这种重要的半导体制造装备的零部件。由于氮化铝对砷化镓等熔盐表现稳定,用氮化铝坩埚代替玻璃来合成砷化镓半导体,可以消除来自玻璃中硅的污染,获得高纯度的砷化镓半导体。球形氮化铝多少钱氮化铝陶瓷具有优良的绝缘性、导热性、耐高温性、耐腐蚀性以及与硅的热膨胀系数相匹配等优点。
提高氮化铝陶瓷热导率的途径:加入适当的烧结助剂,引入添加剂主要有两方面的作用:促进氮化铝陶瓷致密化。氮化铝是共价化合物,具有熔点高、自扩散系数小的特点,一般难以烧结致密,使用添加剂可以在较低温度产生液相,润湿晶粒,从而达到致密化。净化晶格。氮化铝低氧有很强的亲和力,晶格中经常固溶了氧,产生铝空位,降低了声子的平均自由程,热导率也因此降低。合适的添加剂可以有效与晶格中氧反应生成第二相,净化晶格,提高热导率。大量的研究表明,稀土金属氧化物和氟化物、碱土金属氧化物和氟化物等均可以作为助烧剂提高氮化铝的热导率。但添加剂的量应适当,过多会增加杂质含量,从而影响热导率;过少又起不到烧结助剂的作用。复合助剂比单一的添加剂能更有效的提高热导率,同时还能降低烧结温度。
AlN属于共价化合物,自扩散系数小,烧结致密化非常困难,通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结,但仍需要1800℃以上的烧结温度。近几年,出于减少能耗、降低成本以及实现AlN与金属浆料的共同烧结等因素考虑,人们开始注意AlN低温烧结技术的研究。所谓低温烧结是个相对概念,指的是将AlN的烧结温度降低到1600℃至1700℃之间实现致密度高的烧结。一般认为,AlN表层的氧是在高温下才开始向其晶格内部扩散。因此,低温烧结另外一个潜在的有利影响是可以延缓高温烧结时表层氧向AlN晶格内部扩散,增进后续热处理过程中的排氧效果,有利于制备出高热导率的陶瓷材料。低温烧结的关键技术是选择有效的烧结助剂。氮化铝很高可稳定到2200℃,室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。
氮化铝陶瓷低温烧结助剂的选择:在烧结过程中通过添加一些低熔点的烧结助剂,可以在氮化铝烧结过程中产生液相,促进氮化铝胚体的致密烧结。此外,一些烧结助剂除了能够产生液相促进烧结,还能够与氮化铝晶格中的氧杂质反应,起到去除氧杂质净化晶格的作用,从而提高AlN陶瓷的热导性能。然而,烧结助剂不能盲目的添加,添加的量也要适宜,否则可能会产生不利的作用,烧结助剂会引入第二相,第二相的分布控制对热导率影响较大。经研究,在选择氮化铝陶瓷低温烧结助剂时应参照以下几点:添加剂熔点较低,能够在较低的烧结温度下形成液相,通过液相促进烧结;添加剂能够与Al2O3反应,去除氧杂质,净化AlN晶格,进而提高热导率;添加剂不与AlN反应,避免缺陷的产生;添加剂不会诱发AlN发生分解和氧化产生Al2O3和AlON,避免氮化铝陶瓷热导率急剧降低。氮化铝陶瓷成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。球形氮化铝多少钱
电子封装基片材料:常用的陶瓷基片材料有氧化铍、氧化铝、氮化铝等。球形氮化铝多少钱
粉末注射成型是将现代塑料注射成型技术引入粉末冶金领域而形成的一门新型近终形成型技术。据中国粉体网编辑了解,该技术的很大特点是可以直接制备出复杂形状的零件,而且由于是流态充模,基本上没有模壁摩擦,成型坯的密度均匀,尺寸精度高。因此,国际上普遍认为该技术的发展将会导致零部件成型与加工技术的一场**,被誉为“21世纪的零部件成型技术”。粘结剂是注射成型技术的重点,首先,粘结剂是粉末的载体,它在很大程度上决定喂料注射成型的流变性能和注射性能;其次,一种良好的粘结剂还必须具有维形作用,即保证样品从注射完成到脱脂结束都能维持形状而不发生变化。为了同时满足上述要求,粘结剂一般由多种有机物组元组成。球形氮化铝多少钱
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