常州优势电子元器件销售现货

1954年，结型硅晶体管诞生。此后，人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展，各种性能优良的电子器件相继出现，电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。逐步形成作为高技术产业**的半导体工业。由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂，这就要求了电子装置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。常州优势电子元器件销售现货

自20世纪50年代提出集成电路的设想后，由于材料技术、器件技术和电路设计等综合技术的进步，在20世纪60年代研制成功了***代集成电路。在半导体发展史上。集成电路的出现具有划时代的意义：它的诞生和发展推动了铜芯技术和计算机的进步，使科学研究的各个领域以及工业社会的结构发生了历史性变革。凭借优越的科学技术所发明的集成电路使研究者有了更先进的工具，进而产生了许多更为先进的技术。这些先进的技术有进一步促使更高性能、更廉价的集成电路的出现。对电子器件来说，体积越小，集成度越高；响应时间越短，计算处理的速度就越快；传送频率就越高，传送的信息量就越大。半导体工业和半导体技术被称为现代工业的基础，同时也已经发展称为一个相对**的高科技产业。 [1新吴区通用电子元器件销售现价人们还利用电感的特性，制造了阻流圈、变压器、继电器等。

1、COB（Chip On Board）通过绑定将IC裸片固定于印刷线路板上2、COF (Chip On FPC)将芯片固定于FPC上3、COG (Chip On Glass)将芯片固定于玻璃上4、EL (Electro Luminescence)电致发光，EL层由高分子量薄片构成，用作LCD的EL光源5、FTN (Formutated STN)一层光程补偿片加于STN，用于黑白显示6、LED (Light Emitting Diode)发光二极管7、PCB (Print Circuit Board)印刷线路板8、QFP (Quad Flat Package)四方扁平封装9、QTP (Quad Tape Carrier Package)四向型TCP10、SMT (Surface Mount Technology)表面贴装技术

B 注意：测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时比较好还是用万用表测试一下其实际阻值。2 水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。3 熔断电阻器的检测。在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。

场效应晶体管1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效应管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。两种型号的表示符号：3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。模拟集成电路是指由电阻、电容、晶体管等元件集成在一起用来处理模拟信号的模拟集成电路。梁溪区常见电子元器件销售客服电话

电容在电路中一般用"C"加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。常州优势电子元器件销售现货

其中：1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9纳法=10^12皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1mF=1000uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×10^2PF=1000PF 224表示22×10^4PF=0.2 2uF3、电容容量误差表符号FGJKLM允许误差±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1uF、误差为±5%。常州优势电子元器件销售现货

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