MEMS制作工艺压电器件的常用材料：
氧化锌是一种众所周知的宽带隙半导体材料（室温下3.4eV，晶体），它有很多应用，如透明导体，压敏电阻，表面声波，气体传感器，压电传感器和UV检测器。并因为可能应用于薄膜晶体管方面正受到相当的关注。同时氧化锌还具有相当良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介绍了基于氧化锌的新型薄膜晶体管所带来的主要优势，这些薄膜晶体管在下一代柔性电子器件中非常有前途。除此之外，还有众多的二维材料被应用于柔性电子领域，包括石墨烯、半导体氧化物，纳米金等。2014年发表在chemicalreview和naturenanotechnology上的两篇经典综述详尽阐述了二维材料在柔性电子的应用。 电子束光刻是 MEMS 微纳米加工中一种高分辨率的加工方法，能制造出极其微小的结构。宁夏新型MEMS微纳米加工
基于MEMS技术的SAW器件：
声表面波(SAW)传感器是近年来发展起来的一种新型微声传感器，是种用声表面波器件作为传感元件，将被测量的信息通过声表面波器件中声表面波的速度或频率的变化反映出来，并转换成电信号输出的传感器。声表面波传感器能够精确测量物理、化学等信息(如温度、应力、气体密度)。由于体积小，声表面波器件被誉为开创了无线、小型传感器的新纪元，同时，其与集成电路兼容性强，在模拟数字通信及传感领域获得了广泛的应用。声表面波传感器能将信号集中于基片表面、工作频率高，具有极高的信息敏感精度，能迅速地将检测到的信息转换为电信号输出，具有实时信息检测的特性，另外，声表面波传感器还具有微型化、集成化、无源、低成本、低功耗、直接频率信号输出等优点。 发展MEMS微纳米加工产业化MEMS常见的产品-声学传感器。
高压SOI工艺在MEMS芯片中的应用创新：高压SOI（绝缘体上硅）工艺是制备高耐压、低功耗MEMS芯片的**技术，公司在0.18μm节点实现了发射与开关电路的集成创新。通过SOI衬底的埋氧层（厚度1μm）隔离高压器件与低压控制电路，耐压能力达200V以上，漏电流＜1nA，适用于神经电刺激、超声驱动等高压场景。在神经电子芯片中，高压SOI工艺实现了128通道**驱动，每通道输出脉冲宽度1-1000μs可调，幅度0-100V可控，脉冲边沿抖动＜5ns，确保精细的神经信号调制。与传统体硅工艺相比，SOI芯片的寄生电容降低40%，功耗节省30%，芯片面积缩小50%。公司优化了SOI晶圆的键合与减薄工艺，将衬底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封装。该技术突破了高压器件与低压电路的集成瓶颈，推动MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向发展，在植入式医疗设备、工业控制传感器等领域具有广阔应用前景。
MEMS制作工艺-声表面波器件的原理：声表面波器件是在压电基片上制作两个声一电换能器一叉指换能器。所谓叉指换能器就是在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案，它的作用是实现声一电换能。声表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的换能器(输入换能器)通过逆压电效应将愉入的电信号转变成声信号，此声信号沿基片表面传播，然后由基片右边的换能器(输出换能器)将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理，并利用声一电换能器的特性来完成的。基于MEMS技术的RF射频器件是什么？
MEMS制作工艺-太赫兹传感器：
超材料(Metamaterial)是一种由周期性亚波长金属谐振的单元阵列组成的人工复合型电磁材料,通过合理的设计单元结构可实现特殊的电磁特性,主要包括隐身、完美吸和负折射等特性。目前,随着太赫兹技术的快速发展,太赫兹超材料器件已成为当前科研的研究热点,在滤波器、吸收器、偏振器、太赫兹成像、光谱和生物传感器等领域有着广阔的应用前景。
这项研究提出了一种全光学、端到端的衍射传感器，用于快速探测隐藏结构。这种衍射太赫兹传感器具有独特的架构，由一对编码器和解码器构成的衍射网络组成，每个网络都承担着结构化照明和空间光谱编码的独特职责，这种设计较为新颖。基于这种独特的架构，研究人员展示了概念验证的隐藏缺陷探测传感器。实验结果和分析成功证实了该单像素衍射太赫兹传感器的可行性，该传感器使用脉冲照明来识别测试样品内各种未知形状和位置的隐藏缺陷，具有误报率极低、无需图像形成和采集以及数字处理步骤等特点。 MEMS声表面波（即SAW）器件是什么？西藏MEMS微纳米加工设计规范
热敏柔性电极采用 PI 三明治结构，底层基板、中间电极、上层绝缘层设计确保柔韧性与导电性。宁夏新型MEMS微纳米加工
SU8微流控模具加工技术与精度控制：SU8作为负性光刻胶，广泛应用于6英寸以下硅片、石英片的单套或套刻微流控模具加工，可实现5-500μm高度的三维结构制造。加工流程包括：基板清洗→底涂处理→SU8涂胶（转速500-5000rpm，控制厚度1-500μm）→前烘→曝光（紫外光强度50-200mJ/cm²）→后烘→显影（PGMEA溶液，时间1-10分钟）。通过优化曝光剂量与显影时间，可实现侧壁垂直度＞88°，**小线宽10μm，高度误差＜±2%。在多层套刻加工中，采用对准标记视觉识别系统（精度±1μm），确保上下层结构偏差＜5μm，适用于复杂三维流道模具制备。该模具可用于PDMS模塑成型，复制精度达95%以上，流道表面粗糙度Ra＜100nm。典型应用如细胞培养芯片模具，其微柱阵列（直径50μm，高度200μm，间距100μm）可模拟细胞外基质环境，促进干细胞定向分化，细胞黏附率提升40%。公司具备从模具设计、加工到复制成型的全链条能力，支持SU8与硅、玻璃等多种基板的复合加工，为微流控芯片开发者提供了高精度、高性价比的模具解决方案。宁夏新型MEMS微纳米加工
