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集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十 kΩ范围内，电容一般为几十pF。电感尚不能集成；元器件性能参数的一定误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路。集成电路是一种微型电子器件或部件。SN74LV1T02DCKRG4现货供应

集成电路测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为晶片。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本产品的制造成本的25％，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。集成电路使用陶瓷扁平封装，这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。商用电路封装很快转变到双列直插封装，开始是陶瓷，之后是塑料。IRF630NPBF现货供应集成电路电压诊断出现较早且运用较广，电压测试的观测信息是被测电路的逻辑输出值。

集成电路构成持续发展。集成电路（Integrated Circuit，IC）是采用特定的加工工艺，按照一定的电路互联，把一个电路中所需的晶体管、电容、电阻等有源无源器件，集成在一小块半导体晶片上并装在一个管壳内，成为能执行特定电路或系统功能的微型结构。集成电路由一开始的电子管到后期的晶体管，集成电路里的电子元件向着微小型化发展，同时元器件也在成倍增长。随着各种先进封装技术如铜互连、浸没式光刻、3D 封装技术的不断涌现，集成电路已由一开始加工线宽为 10 微米量级，2018 年量产集成电路的加工技术已经达到 7 纳米。同时，作为集成电路的衬底，硅圆片早期的直径已由一开始的 1in（约 25.4mm）增长到现在的 300mm（约 12in）。

集成电路封装是伴随集成电路的发展而前进的。随着宇航、航空、机械、轻工、化工等各个行业的不断发展，整机也向着多功能、小型化方向变化。这样，就要求集成电路的集成度越来越高，功能越来越复杂。相应地要求集成电路封装密度越来越大，引线数越来越多，而体积越来越小，重量越来越轻，更新换代越来越快，封装结构的合理性和科学性将直接影响集成电路的质量。因此，对于集成电路的制造者和使用者，除了掌握各类集成电路的性能参数和识别引线排列外，还要对集成电路各种封装的外形尺寸、公差配合、结构特点和封装材料等知识有一个系统的认识和了解。语音集成电路一般还需要少量外层元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。

简单来说就是将许多电阻，二极管与三极管等元器件以电路的形式制作半导体硅片上，然后接出引脚并封装起来，就构成了集成电路。优点：电路简单，微小型化，性价比高，可靠性强，低功耗，故障率低。集成电路中多用晶体管，少用电感，电容与电阻，特别是大容量的电容器。集成电路内部的各个电路之间多采用直接连接。集成电路多采用对撑电路，集成电路按其功能，结构不同，可以分为模拟集成电路，数字集成电路与数/模混合集成电路。模拟集成电路（线性电路）：用来产生，放大与处理各种模拟信号，其输入信号与输出信号成比例关系。数字集成电路：用来产生，放大与处理各种数字信号。基本的模拟集成电路有运算放大器、乘法器、集成稳压器、定时器、信号发生器等。IRFB7446PBF现货供应

前缀表示集成电路的生产厂家及类别，后缀一般用来表示集成电路的封装形式、版本代号等。SN74LV1T02DCKRG4现货供应

集成电路：采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内。集成电路是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。集成电路封装外壳有圆壳式、扁平式或列直插式等多种形式。SN74LV1T02DCKRG4现货供应

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