佛山XBM3214DCA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

移动电源应用两串锂电池保护芯片介绍、35W以内、XBM2138QFA  2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能、XBM2138QFA正极保护的锂电池保护方案。佛山XBM3214DCA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

    在当今以电子设备为主导的时代，锂电池作为一种**、轻便的能源存储装置，被广泛应用于手机、笔记本电脑、电动汽车等众多领域。而在锂电池的安全运行中，锂电池保护IC起着至关重要的作用。锂电池保护IC，即锂电池保护集成电路，是专门为保护锂电池而设计的一种芯片。它的主要作用是监测锂电池的工作状态，并在出现异常情况时及时采取措施，以防止锂电池发生过充、过放、过流和短路等危险情况。首先，锂电池保护IC可以防止过充电。当锂电池在充电过程中，电压会逐渐升高。如果充电电压过高，可能会导致锂电池内部发生化学反应，甚至引发损坏等危险情况。锂电池保护IC会实时监测锂电池的充电电压，一旦发现电压超过设定的安全值，就会立即切断充电电路，从而避免过充电的发生。其次，保护IC能够防止过放电。当锂电池在放电过程中，电压会逐渐降低。如果放电电压过低，可能会导致锂电池内部的电极材料受损，影响锂电池的使用寿命。锂电池保护IC会监测锂电池的放电电压，当电压低于设定的安全值时，就会切断放电电路，防止过放电的发生。此外，锂电池保护IC还可以防止过流和短路。在使用锂电池的过程中，如果出现短路或过大的电流，可能会导致锂电池发热、起火甚至损坏。韶关XBM5774 赛芯代理高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台；

4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574   级联功能/集成均衡/NTC/Sense  保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

    深圳市点思半导体有限公司专注于智能电源技术，主要面向智能快充，储能和工业电源领域，提供高性能数模混合芯片产品。公司成立于2023年，总部设立在深圳，同时在成都设有研发中心。**研发团队来自国内外前列半导体公司，拥有多位海归大厂技术骨干，都拥有着10年以上的芯片开发经验，拥有强大的研发创新能力。创立之初便推出了多款移动电源SOC，帮助客户实现产品升级，受到客户的高度认可。移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充，集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能，支持1-6节电池，支持点思半导体秉承着为客户提供质量产品的理念，立志成为国内前列的数模混合芯片设计公司。从业20年的***市场总监带领团队分析市场需求和发展趋势,为公司产品研发指出方向。 6串-7串 XBM5773 集成均衡/PWM、/NTC/Sense/SSOP24。

    主要描述XBM4530系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。 2~3串锂电保护 多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM2138/XBM32XX 推挽。扬州XBM3214JFG赛芯集成MOS 两节锂保

DS3730B AC模式：30-65W 移动电源模式：20-35W.佛山XBM3214DCA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 佛山XBM3214DCA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保