企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计,锂电保护的GND接电池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的,VT脚通常可接芯片GND(B-),或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与,滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰,使得VDD电压尽量稳定,该电阻和电容缺一不可,缺少任何一个都会有少烧芯片的可能,增加生产的不良率(XB5432不加电容)。不同IC的电阻取值有差异,请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等,可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个,可以增强锂电保护电路的系统级ESD,增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用,减小内阻,增强持续电流,多芯片并联使用时,芯片VDD的RC网络,电阻可共用,但电容须要一个保护芯片配一个电容。带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。扬州3e1EAB赛芯现货

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    DS3056B集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护:电池充电过程中,DS3056B实时监测输入电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭充电通路。过流保护:充电过程中,利用内部的高精度ADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,触发过流保护,芯片自动关闭充电通路。过温保护:电池充放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时,首先降低功率。如果降低功率仍然无法过温,则自动关闭充电通路。电池过充保护:充电过程中,实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时,自动关闭充电通路。 扬州DS5136赛芯集成MOS 两节锂保XL1507、XL1509、XL2596、XL2576。

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XBM2138QFA  移动电源应用 两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节:保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能

 XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出。6-7串锂电池保护NTC/PWM/SSOP16 多节锂电池保护——二级保护 XBM5772 。Series。

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    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。 锂保PCB应用注意事项-布局。扬州XBM5254赛芯内置MOS 两节锂保

高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。扬州3e1EAB赛芯现货

    二级保护电路设计要点二级保护电路的设计要点主要包括以下几个方面:1.电路组成和工作原理二级保护电路通常包括***级静电保护电路和第二级静电保护电路。***级静电保护电路连接于输入管脚和接地端之间,而第二级静电保护电路则包括电阻和MOS晶体管,其中MOS晶体管的源极和漏极均与输出管脚相连,其栅极与接地端相连,衬体端也与接地端相连。这样的设计可以在减少占用芯片面积的同时,维持相同的静电保护效果3。2.保护电路的选择和应用在设计保护电路时,需要根据具体的应用场景选择合适的保护元件。例如,瞬态电压抑制二极管(TVS)是一种常用的电子元件,用于保护电路免受过电压的影响。在电力系统、通信设备、计算机硬件和其他敏感电子设备中,TVS是不可或缺的保护元件1。3.电路的稳定性和可靠性在设计二级保护电路时,还需要考虑电路的稳定性和可靠性。例如,在激光二极管保护电路的设计中,需要重点分析电流、瞬态电压处理等关键因素。 扬州3e1EAB赛芯现货

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