工作原理·反向工作状态(K端接正、A端接负)·正向工作状态(A端接正、K端接负)D阻断区:此时器件两端所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J2上。2雪崩区:当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场**增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大，这就是电压增加，电流急剧增加的雪崩区。3负阻区:当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入n2区，空穴进入p1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。由此使p1区电位升高、n2区电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。半导体放电管就选凯轩业科技，有想法可以来我司咨询！北京质量半导体放电管
放电管保护应用中存在的问题一、时延脉冲及续流从暂态过电压达到放电管的ufdc（直流放电电压）到其实际动作放电之间，存在一段时延，的大小取决于过电压波的波头上升陡度du/dt。一般不单独使用放电管来保护电子设备，而在放电管后面再增加一些保护元件，以抑制这种时延脉冲。续流：放电管泄放过电流结束以后，被保护系统的工作电压能维持放电管电弧通道的存在，这种情况称为续流。续流的存在对放电管本身和被保护系统具有很大的危害性。熔断器的额定电流高于被保护系统的正常运行电流，其熔断电流小于放电管在电弧区的续流。这种方法会造成供电和信号传输的短时中断，对于要求不高的电子设备可以接受。二、状态翻转及短路反射放电管在开始放电时，由开路状态翻转为导通状态，翻转过程中，暂态电流的变化率di/dt很大，这种迅速变化的暂态电流在空间产生暂态电磁场向四周辐射能量，在附近的电源线和信号线上产生干扰，或在周围的电气回路中产生感应电压。通常采取的抑制方法有屏蔽、减小耦合和滤波等。放电管导通后，入射波被反射回去，使得后面的电子设备得到保护，但反射波电流产生的空间电磁场也会向周围辐射能量，需要加以抑制。湖南半导体放电管制造公司接地连线应当具有尽量短的长度接地连线应具有足够的截面，以泄放暂态大电流。
浪涌电压抑制器件分类浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类型。第一种类型为橇棒（crowbar）器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低，因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放，而且也使功耗**降低。另外该类型器件的漏电流小，器件极间电容量小，所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关（CSSPD）等。另一种类型为箝位保护器，即保护器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升，以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV)，瞬态电压抑制器（TVS）等。3、气体放电管的构造及基本原***体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成，基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管便开始放电，并由高阻变成低阻，使电极两端的电压不超过击穿电压.
当浪涌电压足够大时，气体开始电离，进入辉光区域（时间非常短），在辉光区域，电压不变，随着电流的上升，气体开始产生雪崩效应，并转换到电弧区域。电弧电压是气体放电管“虚短”时的电压。电弧电压越低，温度越低，寿命越长。电弧电压一般是10-50V。气体放电管因其通流量大和反应速度慢的特点，常放在电路**前端，后级和TVS/TSS等反应速度快的器件并联使用，使用时需要注意：1.后级防护器件的钳位电压要高于气体放电管，避免气体放电管不开启；2.气体放电管和后级防护器件之间要增加过流保护器件（PTC等），使得后级防护器件能够恢复。用户的信赖之选，有想法可以来我司咨询！晶体管设计，就选深圳市凯轩业电子科技。
气体放电管（GasDischargeTubeGDT）是由密封惰性气体于放电管介质的一个或者一个以上放电间隙组成的器件，是一种开关型过压保护元件。气体放电管通流量大，结电容低，绝缘电阻高，响应速度慢，击穿残压较高，并且有续流。适合应用在信号端口初级，电源端口（与钳位型串联）。气体放电管的主要参数包括：直流击穿电压DCSpark-overVoltage：又称为直流火花放电电压，是指施加缓慢升高的直流电压时，GDT火花放电时的电压，一般电压斜率为100V/s；脉冲击穿电压:MaximumImpulseSpark-overVoltage,亦称比较大冲击火花放电电压,是指施加规定上升率和极性的冲击电压,在放电电流流过GDT之前,其两端子间的电压比较大值，一般电压斜率为1000V/us；标称冲击放电电流:NominalImpulseDischargeCurrent,是指给定波形的冲击电流峰值,一般为8/20μs的脉冲电流波形,为GDT的额定值；耐冲击电流寿命:ImpulseLife,衡量GDT耐受多次冲击电流的能力,在一定程度上反映了GDT的稳定性及可靠性,一般施加10/1000μs的脉冲电流若干次；.气体放电管的结构及特性开放型放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到保证。福建半导体放电管制造商
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半导体放电管是什么?固体放电管又称为半导体放电管，半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。半导体放电管选用标准?1、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。2、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压，如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择BR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。3、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值，如FCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A4、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值，即:IH(系统电压/源阻抗)。5、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVTTIPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。 北京质量半导体放电管
