IEEE国际电子元件会议在国际半导体业界的地位:IEEE国际电子元件会议,是每年12月在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛,报告半导体、电子元件技术;设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。将世界范围的工业界与学界的管理者、工程师和科学家汇聚一堂,内容...
汽车电子之超高压晶体管--提高电动车续航能力:美国布法罗大学科研团队开发的功率MOSFET晶体管,可用小体积处理难以置信的高电压,可提升汽车电力电子效能。金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,在汽车电子中尤为常见。功率MOSFET是一种专门处理大功率负载的开关,年约500亿个出货量。功率MOSFET可快速开关大功率的电子系统,是汽车电子的重要元件。布法罗大学团队称已研发出薄如纸的氧化镓MOSFET晶体管,可处理极高电压。晶体管在实验室中能处理超8000伏电压。研究人员称这一数字明显高于碳化硅或氮化镓晶体管。实验中氧化镓的带隙数字为。带隙是衡量一个电子进入导电状态所需的能量,带隙越宽效果越好。硅是电力电子器件中常见的材料,带隙。碳化硅和氮化镓带隙分别为。因此氧化镓。布法罗团队希望这种功率MOSFET晶体管能够为汽车电子、机车、微电网技术,以及更小更高效的电力电子功率器件作出贡献。如果其能走出实验室,走进汽车电子应用场景,可能是汽车电子电力的又一进步。 电动汽车车辆控制单元VCU汽车电子国产替换。广东汽车电子芯片润石芯片现货
通信芯片之硬件地址识别芯片--MAC芯片:MAC地址意为媒体访问控制,或称为物理地址,用以定义网络硬件设备的坐标。MAC地址是由网卡中MAC芯片决定的固定地址。网卡的物理地址通常是由网卡或MAC芯片厂家烧录,在通信芯片中置入了接发数据的电脑地址,即识别主机的物理地址。就像身份证一样,具有全球性。MAC与IP地址的关系:每个网络位置均有一个专属IP地址。IP地址工作在OSI参考模型的第三层网络层。两者分工协作共同完成通信过程。IP专注于网络层,将数据包从一网络传送到另一网络。MAC专注于数据链路层,将数据帧从一节点传送到另一节点。MAC是网卡出厂时设定的,IP和MAC形成对应关系。在以太网卡中,物理层芯片称为PHY芯片,数据链路层芯片称为MAC芯片。PHY芯片和MAC芯片都是很重要的通信芯片,其质量和性能的优劣,决定着网卡的层次高低。 广东汽车电子芯片润石芯片现货汽车电子技术国产汽车电子芯片。
国产电平转换芯片;逻辑电平芯片介绍:对于那种将高逻辑电平转为低逻辑电平的转换器,逻辑电平芯片厂家规定了允许的输入范围。在规定输入范围内,逻辑电平芯片能将其输入嵌位在过压容限内。具有过压输入保护的逻辑芯片,能承受的输入电压高于其供电电压,因而简化了高逻辑电平至低逻辑电平的转换模式。但在有些电子系统的设计中,逻辑芯片在降低电源电压时,其输出驱动能力也会随之降低。在通信技术中,SPI总线既需要高逻辑电平至低逻辑电平转换,也需将低逻辑电平转至高逻辑电平。SPI是串行外设接口的英文缩写,是一种高速全双工同步通信总线,且在芯片管脚上只占四线,同时为PCB布局节省空间,简单易用,现在越来越多的芯片集成了这种通信协议,比如AT91RM9200。江苏润石电平转换芯片国产替代:润石RS0101替换TI-TXS0101;ON-NLSX4401,NLSX3373,NLSX4373。Nexperia-NXS0101。汽车电子.电平转换,运放,比较器,模拟开关,电压基准源。
国产替换:长期演进技术。LTE采用由NodeB构成的单层结构,能简化网络和减小延迟,实现低时延、低复杂度和低成本。Baseband基带:信息源发出未经调制的原始电信号所固有的频带,即基本频带简称基带。基带和频带相对应。频带:对基带信号调制后所占用的频率带宽(一个信号所占有的从比较低到比较高频率之差)。基带芯片的功能是:合成将要发射的基带信号,把语音等信号编为基带码;把接收到的基带码解码为语音等信号。介绍一款:支持TDD/FDD双模。符合3GPPRel13标准。支持终端类别4(下行150Mbps/上行50Mbps)。支持带宽20MHz,15MHz,10MHz,5MHz,3MHz,。支持传送模式TM1-TM8。支持各种上下行配置,特殊子帧配置。支持调制方式QPSK,16QAM,64QAM。支持祖冲之算法和其他加密算法。接口:,SDIO,MII,MobileDDR/DDR2,Serialflash/EEPROM,USIM。工艺:SMIC40nm。封装:10x10mmLFBGA;。 AEC-Q100认证国产汽车电子模拟开关芯片。
国产汽车电子元器件通过AEC-Q100Grade1认证:润石运算放大器RS722P/RS724/RS721P、电平转换RS8T245、逻辑芯片RS1G08通过车用IC可靠度AEC-Q100Grade1认证。上述型号通过了环境应力加速验证、寿命加速模拟验证、封装验证、芯片制造可靠性验证、电性验证、失效筛选验证等系列车规级认证测试。此次通过车规级的模拟芯片RS722P/RS724/RS721P/RS1G08/RS8T245,在生产制造质量体系上符合IATF16949标准,产品通过AEC-Q100Grade1标准认证,且达到MSL1湿敏等级,并可提供全套交付件与DPA报告;适用于汽车电子的动力域、车身域、座舱域,并能P2P兼容市场主流欧美车规级芯片。汽车电子对模拟芯片等电子元器件可靠性要求极高;润石采用与国际头部车规级芯片同等水准的材料、制程、工艺,选取拥有IATF16949资质、晶圆制程通过AEC-Q100认证,且有实际车规量产经验的晶圆厂,国际Tier1车规级芯片量产经验的封测厂如日月新、通富微电合作;开发并导入符合AEC-Q100Grade1车规级产品,并由单独第三方实验室做车规AEC-Q100认证。2023年润石科技将为汽车电子市场提供更多高性能车规芯片。 电动汽车板载充电器OBC汽车电子国产替换。广东汽车电子芯片润石芯片现货
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汽车电子之高性能碳化硅场效应晶体管新工艺:碳化硅(SiC)是电力电子中重要的半导体材料之一,在汽车电子、电力等领域广为应用。SiCMOSFET的技术瓶颈是其栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低。现国内科研团队提出一种用低温超临界二氧化碳,或超临界一氧化二氮流体的低温退火工艺。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的质量。通过增压,二氧化碳和一氧化二氮在接近室温时更容易进入超临界流体状态。SCF态是物质的一种特殊相,它具有气体一样的高渗能力和液体一样的高溶度,几无表面张力。因此可将SCCO2或SCN2O流体引入界面来减小陷阱,而不会造成新的损伤。该研究成果不仅实现了高质量SiO2/SiC界面、高的沟道迁移率和介电可靠性,更可喜的是,其高效低温退火工艺与标准SiCMOSFET制造工艺兼容,为制备高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法,方便用于商用器件和汽车电子器件的制备。上述研究成果论文在第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议上发表。获国家重点研发计划、国家自然科学基金等支持。 广东汽车电子芯片润石芯片现货
IEEE国际电子元件会议在国际半导体业界的地位:IEEE国际电子元件会议,是每年12月在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛,报告半导体、电子元件技术;设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。将世界范围的工业界与学界的管理者、工程师和科学家汇聚一堂,内容...
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