企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

二极管的伏安特性曲线,半导体二极管较重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时,它呈现的电阻(正向电阻)比较小,通过的电流比较大,当外加反向电压时,它呈现的电阻(反向电阻)很大,通过的电流很小(通常可以忽略不计)。反映二极管的电流随电压变化的关系曲线,叫做二极管的伏安特性。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。二极管的主要作用之一是整流,将交流电转换为直流电。肇庆有机发光二极管现货直发

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二极管伏安特性曲线说明:1.反向特性,二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC(OC′)段。2.温度对特性的影响,由于二极管的主要是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。3.反向击穿特性,二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图1.11中CD(C′D′)段。肇庆有机发光二极管现货直发二极管的温度也会影响其性能,应注意避免过热。

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在较初被发明的那个年代,二极管通常被称作“整流器”。在1919年四极管被人发明后,威廉·亨利·埃克尔斯创造了术语 Diode ,是从希腊语词根( δί ,di,“二”)和( ὁδός ,ode,“路径”)两者结合而来的。尽管二极管基本都有着“整流”作用,但是现在“整流器”一词通常在特定情况下才会被使用。如电源供应所需要的“半波整流”或“全波整流”设备;或者是阴极射线管所需的高压电续流二极管。热离子二极管,一个热离子二极管就是一个真空管(也称“电子管”),由一个包含着两个电极的密封真空玻璃壳组成:由灯丝加热的阴极,和一个阳极。早期产品的外观和现在的白炽灯泡相当类似。

发光二极管,发光二极管名称名称为Light-emitting diode,简称LED。是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能,在现代社会具有普遍的用途,如照明、平板显示、医疗器件等。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。在PN结中注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能,发光方向有正向、侧向多种。发光二级管家族THT和SMT封装的种类很多,插针的按照长正短负区分极性,贴片标有阴极线。在调试电路时,可以通过测量二极管的电压和电流来判断其工作状态。

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面接触式二极管。面接触式PN结二极管是由一块半导体晶体制成的。不同的掺杂工艺可以使同一个半导体(如本征硅)的一端成为一个包含负极性载流子(电子)的区域,称作N型半导体;另一端成为一个包含正极性载流子(空穴)的区域,称作P型半导体。两种材料在一起时,电子会从N型一侧流向P型一侧。这一区域电子和空穴相互抵销,造成中间区域载流子不足,形成“耗尽层”。在耗尽层内部存在“内电场”:N型侧带正电,P型侧带负电。两块区域的交界处为PN结,晶体允许电子(外部来看)从N型半导体一端,流向P型半导体一端,但是不能反向流动。在设计电路时,应充分考虑二极管的温度特性和工作条件,以确保其正常工作。肇庆有机发光二极管现货直发

二极管的反向漏电流应尽量小。肇庆有机发光二极管现货直发

肖特基二极管,利用金属和半导体二者的接合面的'肖特基效应'的整流作用。由于正向的切入电压较低,导通回复时间也短,适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多,突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。稳压二极管(Reference Diode)(常用称法:齐纳二极管),施加反向偏置,超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小,具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度,决定击穿电压(破坏电压)。其正向偏置与一般的二极管相同。肇庆有机发光二极管现货直发

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