整流二极管: 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。检波二极管: 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。开关二极管: 在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。稳压二极管: 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)。二极管的优势在于简单、廉价、可靠、快速,适用于各种电子电路中。珠海单向导电二极管
在电子工程领域,二极管作为基础的电子元件,其种类繁多,功能各异。其中,稳压二极管和普通二极管因其独特的特性和应用场景而备受关注。本文将详细比较稳压二极管与普通二极管的不同之处,以便读者更好地理解和应用这两种元件。功能区别,稳压二极管,也被称为齐纳二极管,其主要功能是维持电路中的稳定电压值。它利用PN结反向击穿状态,在电流可在很大范围内变化时保持电压基本不变,从而实现稳压功能。这种特性使得稳压二极管在电路中起到了关键的稳定作用,为电子设备提供了可靠的电压支撑。相比之下,普通二极管则主要作为一个开关器件或整流器使用。在正向电压下,普通二极管导通,允许电流通过;而在反向电压下,则截止,阻止电流通过。这种单向导电性使得普通二极管在开关电路和整流电路中发挥着重要作用。珠海单向导电二极管二极管作为电子元器件的重要一员,其发展和应用推动了电子技术的进步。
二极管是否损坏如何判断:单负导电性能的检测及好坏的判断,通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右,反向电阻值为(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。
变容二极管: 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被普遍地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS: 一种固态二极管,专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿。发光二极管LED: 用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。. 在电源管理中,稳压二极管可提供稳定的电压输出。
晶体二极管分类如下:平面型二极管,在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上只选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。二极管的快速开关特性可用于电子开关、振荡电路等。珠海单向导电二极管
温度对二极管的特性有影响,需考虑温漂移。珠海单向导电二极管
二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。珠海单向导电二极管