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    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 二极管就选华芯源电子-专业定制二极管。STD2NB60-1

    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开[2]。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管是一开始诞生的半导体器件之一，其应用非常多。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。 STD2NB60-1什么二极管适合小电压大电流整流。

    简单了解二极管的主要参数二极管是**早诞生的半导体器件之一，其应用更是非常***，二极管的参数主要有以下几点:1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。3.比较大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的比较大值。这是设计时非常重要的值。4.比较大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。5．比较大反向峰值电压VRRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的比较大值是规定的重要因子。比较大反向峰值电压VRRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前比较高的VRRM值可达几千伏。

    常见的二极管接法解析：正向偏置：将二极管的正极连接到正电源，负极连接到负电源。这样可以使得二极管正向导通，电流从正极流向负极。这种接法常用于整流器、开关和放大电路等应用。反向偏置：将二极管的正极连接到负电源，负极连接到正电源。这样可以使得二极管反向截止，电流通过二极管非常小或不流动。这种接法常用于保护电路和电压级联等应用。反向放大：将二极管的正极连接到信号源，负极连接到负电源。这样可以使得二极管在正向截止和反向导通之间切换，实现信号的放大。这种接法常用于放大电路和射频应用。但是我们在接线的过程中还需要注意的是，实际应用中二极管的**额定电流、**额定反向电压和工作温度等参数，以确保二极管能够正常工作并不受损坏。此外，还需要注意保护二极管免受过电流和过压的损害，可以采用限流电阻和反向并联二极管等方法进行保护。运用较多的二极管有肖特基二极管与整流器、整流器。

    瞬态抑制二极管怎么样选型？瞬态抑制二极管选型的七大技巧:1、确定被保护电路的比较大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“**”容限。2、瞬态抑制二极管额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏申流太大影响电路的正常工作。出行连接分电压，并行连接分电流。3、瞬态抑制二极管的比较大箱位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内，瞬态抑制二极管的比较大峰值脉冲功耗PM必须大干被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定比较大箱位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。5、对干数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的瞬态抑制二极管器件。6、根据用途选用瞬态抑制二极管的极性及封装结构，交流电路选用双极性瞬态抑制二极管较为合理:多线保护选用瞬态抑制二极管阵列更为有利。7、温度考虑，腰态电压抑制器可以在-55~+150之间工作，如果重要瞬态抑制一极管在一个变化的温度工作，由干其反向漏电流ID是随增加而增大:功耗随瞬态抑制二极管结温增加而下降，从+25到+175.大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料。 桥式整流中的二极管怎样选用?STD2NB60-1

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    整流、开关二极管主要参数：（7）结电容Cj（Capacitancebetweenterminals）PN结之间形成的寄生电容，该电容影响着工作频率和反向恢复时间，越小越好。（8）**工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。（9）正向恢复时间tfrtfr为二极管正向导通电流所需的通断时间，如下图所示。当一个快速上升的脉冲作用于二极管时，由于载流子积累，它不会立即进入导电状态。在tfr期间，二极管即使在正向也表现出高电阻。换句话说，tfr是电流向二极管阴极端扩散所需的时间。tfr定义为在规定的正向电流(IF)下，正向电压达到峰值并下降到VF的110%所需的时间，不同厂商定义不一样。（10）反向恢复时间trr（Reverserecoverytime）开关二极管从导通状态到完全关闭状态所经过的时间，一般取IR最大值的25%或10%那个时间点，不同厂商定义不一样。一般关断后电子不能瞬间停止，有一定量的反向电流流过。其漏电流越大损耗也越大。二极管阻断反向电流之前需要首先释放结电容存储的电荷，所以这个放电过程就带来了反向恢复时间。 STD2NB60-1