陶瓷电容器的分类:陶瓷电容器根据介质的种类主要可以分为两种，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。Ⅰ类陶瓷电容器，原名高频陶瓷电容器，是指由陶瓷介质制成的电容器，具有低介质损耗，高绝缘电阻，介电常数随温度线性变化。特别适用于谐振电路和其它损耗低、电容稳定的电路，或用于温度补偿。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器，是指以铁电陶瓷为电介质的电容器，所以又称为铁电陶瓷电容器。这种电容器比电容大，电容随温度非线性变化，损耗大。常用于电子设备中对损耗和电容稳定性要求不高的旁路、耦合或其他电路。钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。片式多层陶瓷电容器品牌
可靠度等级开关电源是一种由开关模式控制的DC稳压电源。它体积小、重量轻、效率高，广泛应用于各种通讯设备、家用电器、计算机及其终端设备。作为具有输入滤波平滑功能的铝电解电容器，其质量和可靠性直接影响开关电源的可靠性。铝电解电容器一旦失效，就会导致开关电源的失效。开关稳压电源用铝电解电容器的失效模式包括击穿失效、开路失效、漏液失效和电参数超差失效。其中，击穿失效分为介质击穿和热击穿。对于大功率大电流输出的电解电容器，热击穿失效往往占一定比例。开关稳压电源用铝电解电容器的主要失效形式是电腐蚀导致铝铅条断裂和电容器芯子干透。漏液是开关稳压电源用铝电解电容器的常见故障形式。由于恶劣的使用环境和工作条件，液体泄漏故障时有发生。开关稳压电源用铝电解电容器较常见的失效模式是电容减小、漏电流增大、损耗角正切增大。片式多层陶瓷电容器品牌铝电解电容，常见的电性能测试包括：电容量，损耗角正切，漏电流，额定工作电压，阻抗等等。
旁路某些设计的电路，双通道(大电容小电容)或多通道(三个以上小电容组成)，一般用在比效率更高的dsp中，为了使频率特性更好。)在电容的接地端，(地线的宽度和一次噪声会造成频率特性)，比如ccd布局中的旁路，要测量电容接地端的纹波。这是指近端。为了滤除DC馈线中的所有交流分量，可以并联不同的电容器。低频滤波要求电容大，但引线电感不适合高频滤波，高频滤波要求电容小，不适合低频滤波。如果并联，可以同时滤除高频和低频。有些滤波电路并联使用三个电容，分别是电解电容、纸电容和云母电容，分别滤除工频、音频和射频。并联电容器的esr也将更小。然后电路图中经常会出现一排排电容，大部分是0.1uf和10uf。你如何计算大小和数量？
随着频率的升高，容抗下降、感抗上升，容抗等于感抗并相互抵消时的频率为铝电解电容器的谐振频率，这时的阻抗比较低，只剩下ESR。如果ESR为零，则这时的阻抗也为零；频率继续上升，感抗开始大于容抗，当感抗接近于ESR时，阻抗频率特性开始上升，呈感性，从这个频率开始以上的频率下电容器时间上就是一个电感。由于制造工艺的原因，电容量越大，寄生电感也越大，谐振频率也越低，电容器呈感性的频率也越低。这就要求它在开关稳压电源的工作频段内要有低的等效阻抗，同时，对于电源内部，由于半导体器件开始工作所产生高达数百千赫的尖峰噪声，亦能有良好的滤波作用，一般低频用普通电解电容器在10kHz左右，其阻抗便开始呈现感性，无法满足开关电源使用要求。电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、nF、pF（皮法）。
在较低频率下，较大的电容可以提供低电阻接地路径。一旦这些电容达到自谐振频率，它们的电容特性就消失了，它们变成了具有电感特性的元件。这就是并联使用多个电容的主要原因，可以在很宽的频率范围内保持较低的交流阻抗。芯片电源要求电源稳定，但实际电源不稳定，高频低频干扰混杂。实际电容与理想电容大相径庭，具有RLC三重性质。10uf的电容对低频干扰的过滤效果很好，但对于高频干扰，电容是感性的，阻抗太大无法有效滤除，所以组合一个0.1uf的电容滤除高频成分。如果你的设计要求不高，没必要完全遵守这个规则。当电容器内部的连接性能变差或失效时，通常就会发生开路。片式多层陶瓷电容器品牌
陶瓷电容的另外一个特性是其直流偏压特性。片式多层陶瓷电容器品牌
陶瓷电容的‘啸叫’现象，其振动变化只有1pm~1nm左右，是压电应用产品的1/10到几十倍，非常小。因此，我们可以判断这种现象对单片陶瓷电容器及周边元器件的影响，不存在可靠性问题。MLCC电容器的啸叫主要是由陶瓷的压电效应引起的。MLCC电容器由于其特殊的结构，当两端施加的电场发生变化时，可以引起机械应力的比例变化，这就是逆压电效应。当振动频率落在人的听觉范围内时，就会产生噪声，这种噪声称为“啸叫”。正压电效应则相反，是在力的作用下产生电场的过程。片式多层陶瓷电容器品牌
