本篇介绍专业全自动HMDS真空烤箱,首先简单介绍一下HMDS预处理系统的必要性:在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性...
超高真空烘箱广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的主要技术指标。 1.工作室温度范围:常温~ +300℃ 用户使用温度260℃ 2.温度波动度:±1.0℃(空载); 3.温度偏差:常压温度试验:常温~200℃时±2℃ 200~300℃时±5.0℃ 低气压高温综合试验:≤100℃时±2.0℃, 100℃~200℃时±5.0℃ 200℃~300℃时±7.0℃上海哪家网带炉厂家值得信赖?江苏烘干网带炉
超高真空烘箱被广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位,用于确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的降温速率。1.升温时间:①常压时:90min(常温~+260℃)②低气压0.0001pa时:180min(常温~+260℃)2.降温时间:3℃~10℃/min(260℃~120℃),1℃~5℃/min(120℃~常温℃)3.降温方式:水冷降温4.试验箱承压方式:采用内承压方式5.压力范围:常压~0.0001Pa厦门网带炉合肥真萍告诉您如何正确使用网带炉?
下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。 一、产品介绍 真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁处理,提高制品质量的目的。 二、设计特点 1.后门设计热风电机 2.降温时风机开启,同时两端降温封头开启,炉膛内产生如图所示的气体流向 3.通过气体介质将隔热层内与水冷壁之间进行热交换,达到快速降温的目的。
连续炉即是连续作业炉,是指连续地或间歇地装料,工件在炉内不断移动,完成加热、保温,有时包括冷却在内全过程的热处理炉。连续作业炉可借助某些机械机构连续地或间歇地进行装料和出料,连续顺序地通过按零件处理工艺要求的不同温度区完成加热过程。使用连续作业炉可提高产品质量,提高劳动生产率和改善劳动条件。下面为大家介绍一下连续炉的产品材质和产品特点。一、产品材质1.外箱采用1.5mm厚Q235冷轧钢板/内箱采用1.5mm厚SUS304#不锈钢;2.保护装置定时报警断电装置、超温断电、漏电保护断路器、电机过载保护。二、产品特点1.双边配有链条传动,解决传送过程中跑偏的现象;2.烘箱分段式加热,单独电箱控制,方便操作,结构主要由输送机系统与烘干炉两大部分组成,多段单独;3.PID温度控制,炉内温度均匀;4.输送速度变频调速,调节自如,运行平稳,产能高;5.每段单独箱体设置废气排放接口,可外接到车间外面,避免车间废气污染。网带炉的功能具体介绍!
一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度±1℃(恒温平台)10.炉膛温度均匀度±6℃(恒温800℃,1h)二、冷却系统1.冷却结构无2.产品降温随炉降温3.安全保护4.报警指示超温、断偶、停水、停气等声光报警保护5.设备安全升温速率≤5℃/min,在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。网带炉在社会上的重要性。厦门网带炉
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下面为大家介绍一下高温钟罩炉的结构系统。一、炉体配置炉膛结构:采用多晶莫来石材料砌筑而成有效尺寸:φ300×320mm(D×H)设备重量:约1200Kg外观颜色:挂板采用高温喷塑,颜色为江淮蓝外形尺寸:W1300×H2200×D1510(mm),不含(囱、指示灯)二、热工系统1.额定温度:1550℃2.限制温度:1600℃3.加热元件:U型硅钼棒4.加热功率:16kW5.空炉保温功率≤8kW6.温区个数:1个7.控温点数:1点8.热偶:B分度9.程序精度:±2℃(大于600℃,升温速率≤3℃/min)10.控温稳定度:±1℃(恒温平台)11.炉膛温度均匀度:±4℃(恒温1500℃,2h)江苏烘干网带炉
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本篇介绍专业全自动HMDS真空烤箱,首先简单介绍一下HMDS预处理系统的必要性:在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性...