高阻封接技术还明显降低了电流记录的背景噪声，从而戏剧性地提高了时间、空间及电流分辨率，如时间分辨率可达10μs、空间分辨率可达1平方微米及电流分辨率可达10-12A。影响电流记录分辨率的背景噪声除了来自于膜片钳放大器本身外，主要还是信号源的热噪声。信号源如同一个简单的电阻，其热噪声为σn=4Kt△f/R式中σn为电流的均方差根，K为波尔兹曼常数，t为温度，△f为测量带宽，R为电阻值。可见，要得到低噪声的电流记录，信号源的内阻必需非常高。如在1kHz带宽，10%精度的条件下，记录1pA的电流，信号源内阻应为2GΩ以上。电压钳技术只能测量内阻通常达100kΩ～50MΩ的大细胞的电流，从而不能用常规的技术和制备达到所要求的分辨率。膜片钳放大器系统（以下简称IPA系统）是高度自动化的膜片钳放大器系统，所有的功能均通过计算机软件完成。单电极膜片钳离子通道
1980年，Sigworth、Hamill、Neher等在记录电极内施加负压吸引，得到了10~100GΩ的高阻封接（gigaseal），降低记录噪声，实现了单根电极既钳制膜电位又记录单通道电流。获1991年Nobel奖。1955年，Hodgkin和Keens应用电压钳（Voltageclap）在研究神经轴突膜对钾离子通透性时发现放射性钾跨轴突膜的运动很像是通过许多狭窄空洞的运动，并提出了"通道"的概念。1963年，描述电压门控动力学的Hodgkin-Hx上模型（简称H-H模型）荣获谱贝尔医学/生理学奖。1976年，Neher和Sakmann建立膜片钳（Patchclamp）按术。1983年10月，《Single-ChannelRecording》一书问世，奠定了膜片钳技术的里程碑。1991年，Neher和Sakmann的膜片铺技术荣获诺贝尔医学/生理学奖。美国膜片钳高阻抗封接膜电导测定的依据是电学中的欧姆定律。
高阻密封技术还***降低了电流记录的背景噪声，从而大幅提高了时间、空间和电流分辨率，如10μs的时间分辨率、1平方微米的空间分辨率和10-12年的电流分辨率。影响电流记录分辨率的背景噪声不仅来自膜片钳放大器本身，还来自信号源的热噪声。信号源就像一个简单的电阻，其热噪声为σn=4Kt△f/R其中σn为电流均方差的平方根，k为玻尔兹曼常数，t为温度，△f为测量带宽，R为电阻值。可以看出，为了获得低噪声电流记录，信号源的内阻必须非常高。如果在1kHz带宽、10%精度的条件下记录1pA的电流，信号源的内阻应该大于2gω。电压钳技术只能测量内阻为100kω~50mω的大电池的电流，常规技术和制备无法达到所需的分辨率。
20世纪初由Cole发明，Hodgkin和Huxleyw完善，目的是为了证明动作电位的峰电位是由于膜对钠的通透性发生了一过性的增大过程。但当时没有直接测定膜通透性的办法，于是就用膜对某种离子的电导来**该种离子的通透性。为了弄清膜电导变化的机制和离子通道的存在，也为了克服电压钳的缺点Erwin和Bert在电压钳的基础上发明了膜片钳，并利用该技术***在蛙肌膜上记录到PA级的乙酰胆碱激动的单通道电流，***证明了离子通道的存在。并证明在完整细胞膜上记录到膜电流是许多单通道电流总和的结果。这一技术被誉为与分子克隆技术并驾齐驱的划时代的伟大发明。二人因此获得诺贝尔生理或医学奖。对离子通道功能的研究，主要采用记录离子通道电流来间接反映离子通道功能。
ePatch的一些设计亮点还包括:可以在软件中用数据记录实验，不用带专门的实验笔记本，也不用担心这个笔记本上记录的内容找不到对应的数据，系统会一一对应。电压电流刺激模式的编辑就更蠢了。很多模块可以直接拖拽，并配有样图，让你对自己编辑的程序一目了然。实时全电池参数估计，包括强大的密封电阻、膜电容、膜电阻等重要参数在线分析功能，包括电压钳模式下的I/Vgraph、eventdetection、FFT，电流钳模式下的APthresholddetection、APfrequency、APslope等数据可以多种格式保存。如果你是程序员，可以支持使用Matlab进行数据分析。如果没有这样的经历，就没有问题。数据可以保存为Clampfit，以便直接分析。电压钳技术的主要在于将膜电位固定在指令电压的水平，这样才能研究在给定膜电位下膜电流随时间的变化关系。全自动膜片钳产品介绍
膜电位Vm由高输入阻抗的电压跟随器所测量。单电极膜片钳离子通道
向电极连续施加1mV、10~50ms的阶跃脉冲，电极入水后电阻约为4~6mΩ。此时，在计算机屏幕显示框中可以看到测试脉冲产生的电流波形。刚开始的时候增益不要设置太高，一般可以是1~5mV/PA，避免放大器饱和。由于细胞外液和电极液离子组成的差异导致液体接界电位，电极刚入水时测试波形的基线不在零线上。因此，需要将保持电压设置为0mV，并调整“电极不平衡控制”，使电极DC电流接近于零。当使用微操作器使电极靠近细胞时，当电极前缘接触细胞膜时，密封电阻指标Rm会上升，当电极轻微下压时，Rm指标会进一步上升。当通过细塑料管对电极施加轻微负压，且细胞膜特性良好时，Rm一般会在1min内迅速上升，直至形成Gω级高阻密封。一般在Rm达到100MΩ左右时，在电极前端施加一个轻微的负电压(-30~-30~-10mV)，有利于gω密封的形成。此时的现象是电流波形再次变平，使电极从-40到-90mV超极化，有助于加速形成密封。为了确认gωseal的形成，可以提高放大器的增益，因此可以观察到除了脉冲电压开始和结束时的容性脉冲超前电流外，电流波形仍然是平坦的。单电极膜片钳离子通道
