钢铁企业生产线上设有各类仪表和传感器，测量轧钢过程各种参数，并将结果送轧线计算机系统。高精度的轧线测量仪表和传感器是基础自动化、过程自动化和管理自动化的关键。轧制产品生产中的轧线仪表和传感器，包括通用的常规仪表和特殊仪表，前者如加热炉用仪表、轧线的红外热像仪、连续退火生产线上分析炉内还原性气体的氢气和一氧化碳分析仪等，后者如测量冷热轧带钢的厚度计、宽度计等。下面对常见的特殊仪表和特殊传感器进行总结：环境科学家运用红外热像仪监测野生动物的活动模式和栖息地状况。迷你型红外热像仪质量保证
红外热像仪与普通相机有以下几个主要区别：工作原理：普通相机通过捕捉可见光来形成图像，而红外热像仪则是通过检测物体发出的红外辐射来形成图像。红外辐射是物体在热量分布上的表现，与物体的温度相关。感应器：普通相机使用光敏感器（如CCD或CMOS）来捕捉可见光信号，而红外热像仪使用红外感应器（如微波探测器或热电偶）来捕捉红外辐射信号。图像显示：普通相机显示的是可见光图像，而红外热像仪显示的是热图像，即物体的热量分布图。热图像通常以不同的颜色或灰度表示不同温度区域。应用领域：普通相机主要用于捕捉可见光图像，适用于大多数日常摄影和视频拍摄需求。而红外热像仪主要用于检测物体的热量分布，适用于建筑、工业、医疗、安防等领域的热成像应用。价格和复杂性：由于红外热像仪的技术和应用特性，其价格通常比普通相机高。此外，红外热像仪的操作和解读热图像的技术要求也相对较高，需要专业培训和经验。人体测温红外热像仪支架红外热像仪在工业检测中扮演着关键角色，能够快速识别设备过热问题。
通常情况下表面散热的测定依据是GB/T26282—2021和GB/T26281—2021，即测量表面温度后查GB/T26282—2021中附录D，对于转动设备如回转窑筒体，需查表D.1（不同温差与不同风速的散热系数），得到系数后进行计算；对于不转动的设备，则查表D.2，找到对应系数后还需要用空气冲击角的校正系数加以校正。笔者在计算窑筒体表面温度的过程中遇到一个难题：由于表D.1中所给的风速范围太窄，没有给出对应环境风速大于2m/s时的系数，而实际测量时会遇到一些风速较大的情况，例如正在使用筒体冷却风机进行吹风冷却的部位，其风速会大于10m/s，此时就找不到对应的系数。在这种情况下，红外热像仪，此图来自Holderbank水泥集团（Holcim水泥集团的前身）。在图1中可以查到一些风速v较高时的系数值。同时该图在低风速段所查系数与GB/T26282—2021附录所列值基本一致。根据相关技术人员的经验，测试工作应尽可能避免在风速超过10m/s的环境中或者雨雪天气进行。
二、热探测器的分类热探测器一般分为测辐射热计、热电堆和热释电探测器三种类型。(1)测辐射热计这种探测器是由具有非常小热容量和大电阻温度系数的材料制成的，吸收IR后探测器的电阻会发生明显的变化，因此它们也被称为热敏电阻。常见的IR热辐射热计有以下几种类型：金属测辐射热计、半导体测辐射热计和微型室温硅测辐射热计（简称微测辐射热计），此外还有用于THz探测的测辐射热计。这些类型中，以微测辐射热计的技术**成熟、应用*****，它们在民用市场深受消费者的推崇，甚至在***市场也有一定的应用空间。氧化钒(Vox)与非晶Si是制作微测辐射热计**常用的材料。安防监控系统整合红外热像仪，提高夜间监控能力，保障安全。
红外热像仪的维护保养非常重要，可以延长设备的使用寿命并保持其性能稳定。以下是一些维护保养方面需要注意的事项：清洁：定期清洁红外热像仪的镜头和外壳，可以使用干净的软布轻轻擦拭。避免使用化学溶剂或粗糙的材料，以免损坏镜头或外壳。防尘：尽量避免红外热像仪暴露在灰尘、油脂或其他污染物的环境中。在使用过程中，可以使用防尘罩或保护套来保护设备。避免碰撞：红外热像仪是精密的仪器，需要避免碰撞或摔落。在携带或存放时，应注意轻拿轻放，避免与硬物接触。正确使用：按照设备的说明书和操作指南正确使用红外热像仪。避免长时间超过设备的工作温度范围，以免损坏传感器或其他部件。定期校准：红外热像仪的测量精度可能会随着时间的推移而变化，因此建议定期进行校准。校准可以由专业的维修人员或厂家进行。储存条件：如果长时间不使用红外热像仪，应将其存放在干燥、通风和温度适宜的环境中，避免高温、潮湿或极端的温度变化。定期检查：定期检查红外热像仪的各个部件和功能是否正常，如电池、连接线、显示屏等。如有异常或故障，及时联系维修人员进行维修。红外热像仪的图像是否可以进行后期处理？迷你型红外热像仪质量保证
医疗专业人员借助红外热像仪进行体温筛查，有效防控疾病传播。迷你型红外热像仪质量保证
nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。迷你型红外热像仪质量保证
