广东销售电阻测试发展

失效机理分析及防护策略结合以上结果，电阻失效是由于经典电化学迁移引起（ElectrochemicalMigration,ECM）。其中失效模型包含Ag、Sn、Pb等金属元素，指的是在一定的偏压电场条件下，作为阳极的电子元件发生阳极金属溶解，溶解到电解质中的金属离子在电场作用下迁移到阴极，并发生沉积还原的行为，**终导致金属离子以树枝状结晶形式向阳极生长[6]。因此电化学迁移现象有三个必要的过程：(1)阳极溶解形成金属离子过程；(2)金属离子迁移过程；(3)金属离子在阴极沉积过程[7]。SIR测试参考标准：JIS Z 3197 Test methods for soldering fluxes钎焊熔剂的试验方法。广东销售电阻测试发展

局部萃取法会把板子表面所有残留离子都溶解。电路板上离子材料的常见来源是多种多样的，包括电路板制造和电镀残留物、人机交互残留物、助焊剂残留物等。这包括有意添加的化学物质和无意的污染。考虑到这一点，每当遇到不可接受的结果时，这种方法就被用来调查在过程和材料清单中发生了什么变化。在流程开发过程中，应该定义一个“正常”的结果范围，但是当结果超出预期范围时，可能会有许多潜在的原因。使用类似SIR测试模块的68针LCC。这种设计有足够的热量，允许一个范围内的回流曲线。元件的高度和底部端子**了一个典型的组装案例，其中助焊剂残留物和其他污染物可以被截留在元件底部。在局部萃取过程中，喷嘴比组件小得多，且能满足组件与板的高度差。广东销售电阻测试发展SIR测试目的更改清洁材料或工艺。

局部萃取的离子色谱法在过去的十年中，一种新兴的方法得到了***的应用，那就是局部萃取，然后用离子色谱(IC)分析来控制重要的清洁度，通常被称为C3测试。这种方法使用冷蒸汽直接通过一个小喷嘴，并在选定的电路板和组件表面冷凝，用以溶解各种离子。然后喷嘴将水和离子的溶液萃取回测试池中进行测试。电流通过萃取物，并测量达到持续状态的时间。然后用离子色谱法对萃取物进行检测，以确定其中存在的离子种类及数量。这种类型的测试特别适用于对电路板上潜在的问题区域进行抽查，例如低间距组件、高热质量区域、选择性焊接的部件和清洗过的组件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到质量保证协议中，以验证测试结果随时间变化的一致性和很多不同组装工艺的一致性。

什么是PCB/PCBA绝缘失效？PCB/PCBA绝缘失效是指电介质在电压作用下会产生能量损耗，这种损耗很大时，原先的电能转化为热能，使电介质温度升高，绝缘老化，甚至使电介质熔化、烧焦，终丧失绝缘性能而发生热击穿。电介质的损耗是衡量其绝缘性能的重要指标，电介质即绝缘材料，是电气设备、装置中用来隔离存在不同点位的导体的物质，通过各类导体间的绝缘隔断功能控制电流的方向。PCB/PCBA绝缘失效的表征电介质长期受到点场、热能、机械应力等的破坏。在电场的作用下，电介质会发生极化、电导、耗损和击穿等现象，这些现象的相关物理参数可以用相对介电系数、电导率、介质损耗因数、击穿电压来表征。保障好用户的利益就是我们价值体现。

设计特征和工艺验证对于准备制造一个新的PCB组件非常关键。这将包括调查来料、开发适当的焊接工艺参数、并**终敲定一个经过很多步骤验证的典型的PCB组件。这将花费比用于验证每个组装过程多得多的时间。本文将重点讨论工艺验证步骤中应该进行的测试。助焊剂特性测试IPC要求焊接用的所有助焊剂都按照J-STD-004（目前在B版中)_进行分类。这份标准概述了助焊剂的基本性能要求和用于描述助焊剂在焊接过程中和组装后在环境中与铜电路的反应的行业标测试方法。一旦经过测试，就可以使用诸如“ROL0”之类的代码对助焊剂进行分类。该代码表示助焊剂基础成分、活性水平和卤化物的存在。以ROL0为例，它表示：助焊剂是松香基，低活性等级，此助焊剂不含卤化物。有几种测试方法有助于这一评级，其中许多电化学可靠性测试方法都适用于助焊剂。(注:对于J-STD-004B中规定的锡膏助焊剂或含芯焊锡线的助焊剂，有些方法可能略有不同)。采用新的外观设计理念！广东销售电阻测试发展

CAF的增加会使板子易吸附水汽，将会造成环氧树脂与玻璃纤维的表面分离。广东销售电阻测试发展

表面绝缘电阻（SIR）IPC-TM-650方法定义了在高湿度环境下表面绝缘电阻的测试条件。SIR测试在40°C和相对湿度为90%的箱体里进行。样板的制备和ECM测试一样，都是依据方法制备（如图1）。***版本的测试要求规定每20分钟要检查一次样板。在七天的测试中，不同模块之间的表面绝缘电阻值衰减必须少于10Ohms，但是要排除**开始24小时的稳定时间。电压是恒定不变的。这和ECM测试在很多方面不一样。两者的不同点是：持续时间、测试箱体条件和频繁测量数据的目的。样板同样需要目测检查枝晶生长是否超过间距的20%和是否有任何腐蚀引起的变色问题。广东销售电阻测试发展

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