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导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。短路保护时间计算步骤：计算MOSFVBHET短路时允许的瞬态温升因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面温度Tj：MOSFET结点温度Rth(jc)：结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻由图2可知，短路时MOSFET耗散的功率约为：P=Vds×I=25×400=10000W脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较精确的脉冲功率数据。对于MOSFET温升计算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。Zθjc------热阻系数Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间由图3下面一条曲线(单脉冲)可知，对于单脉冲来说。电子线圈哪家专业，无锡东英电子值得信赖，有需求的不要错过哦！电子线圈诚信为本

频陷波线圈的内部结构与振荡线圈相似，只是磁帽可调磁心。2）．电视机用行振荡线圈行振荡线圈用在早期的黑白电视机中，它与**的阻容元件及行振荡晶体管等组成自激振荡电路（三点式振荡器或间歇振荡器、多谐振荡器），用来产生频率为15625HZ的的矩形脉冲电压信号。该线圈的磁心中心有方孔，行同步调节旋钮直接插入方孔内，旋动行同步调节旋钮，即可改变磁心与线圈之间的相对距离，从而改变线圈的电感量，使行振荡频率保持为15625HZ，与自动频率控制电路（AFC）送入的行同步脉冲产生同步振荡。电子线圈诚信为本电子线圈哪家好，无锡东英电子值得信赖，欢迎各位新老朋友垂询！

1.显极式绕组每组线圈形成一个磁极，线圈的磁极数等于线圈数。在显极式绕组中，为了达到磁极N/S相互间隔的目的，各个相邻的线圈的电流方向必须相反，所以连接方式为头接头尾接尾也叫反接串联方式。2.庶极式绕组在该种绕制方式中，每组线圈必须激励2个磁极，磁极数为线圈数目的两倍，其原因是：因为另半数磁极由线圈产生磁极的磁力线共同形成。在该种绕制方式中，每个线圈所激励的磁极方向相同，所以每个绕组种电流方向是相同的，所以连接方式为首尾相接，这种方式叫做顺接串联方式。二、三项异步电动机靠定子绕组的形状与嵌装布线方式区分在这种方式下，又能分为集中式绕组和分布式绕组1.集中式绕组这种绕组一般来讲非常简单，**有几个矩形线框构成。然后包上沙质绷带，然后在浸入油漆烘干定型固定在铁芯上。一般情况直流电机采用这样的方式2.分布式绕组一般来讲才用该种绕组方式的电机定子。

电动车无刷电机控制器短路的工作模型解决方案：温升公式：Tj=Tc+P×Rth(jc)根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间工作温度越高短路保护时间就应该越短1短路模型及分析短路模型如图1所示，其中画出了功率输出级的A、B两相(共三相)。Q1和Q3为A相MOSFET，Q2和Q4为B相MOSFET，所有功率MOSFET均为AOT430。L1为电机线圈，Rs为电流检测电阻。当控制器工作时，如电机短路，则会形成如图1中所示的流经Q2，Q3的短路电流，其电流值很大，达几百安培，MOSFET的瞬态温升很大，这种情况下应及时保护，否则会使MOSFET结点温度过高而使MOSFET损坏。短路时Q3电压和电流波形如图2所示。图2a中的MOSFET能承受45us的大电流短路，而图2b中的MOSFET不能承受45us的大电流短路，当脉冲45us关断后，Vds回升，由于温度过高，经过10us的时间MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路电流迅速上升。由图2我们可以看出短路时峰值电流达500A，这是由于短路时MOSFET直接将电源正负极短路，回路阻抗是导线，PCB走线及MOSFET的Rds(on)之和，其数值很小，一般为几十毫欧至几百毫欧。2计算合理的保护时间在实际应用中，不同设计的控制器，其回路电感和电阻存在一定的差别以及短路时的电源电压不同。电子线圈哪家好，无锡东英电子值得信赖，期待您的光临！

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