计量性能要求：
α、β表面污染仪的计量性能要求如下：
计量性能 技术要求
本底计数率 满足出厂技术指标
表面发射率响应 当放射性平面源距探测器窗表面5mm时，对于241Am或239Pu核素α粒子的表面发射率
响应不低于0.20；当放射性平面源距探测器窗表面10mm时，对于204Tl或36Cl核素的β
粒子的表面发射率响应不低于0.15。
重复性 小于20%
相对固有误差 不超过±25%
通用技术要求：
外观 α、β表面污染仪外观不应有锈蚀、裂纹和破损等缺点以及影响正常工作的机械损伤，控制面板或系统界面上所设置的功能键应能完成该键指令下的功能。 平面工艺硅探测器又称为钝化离子注入平面工艺Si探测器。多探头表面污染仪
在核技术应用领域内，由于放射性操作，使得工作场所受到一定程度的放射性表面污染。这种污染直接对人体产生外照射，特别是有的核素发射象β射线这样的弱贯穿辐射,会对皮肤、肢端产生较高水平的辐射。若这种污染由于再悬浮而进入空气中，则有可能因吸入而使工作人员产生内照射，尤其是对于α核素。若污染到皮肤，除会对皮肤产生外照射之外，还有可能通过皮肤渗入体内而产生内照射。若有被污染的物品被从控制区带到外部，则有可能对环境和公众产生影响。因此对表面污染水平进行控制是非常必要的。核辐射表面污染仪检定规程发光型探测器有闪烁体探测器、热释光探测器以及火花室、流光室等。
中子射线尤其快中子对人体是有危害的,它的穿透力也不小,而且还能引起其它次生辐射.中子防护中首先是防护快中子让它慢下来,变成热中子,被物质吸收,要用一定厚度的屏蔽材料,材料选择原则:对于几Mev以上快中子,需含一定数量中等或重原子序数元素,使其能量通过非弹性散射快速降到非弹性散射阈能以下.几Mev以下的中子主要用弹性散射慢化,其中氢元素*hao（水、石蜡、聚乙烯、都含有氢）,中子在散射、吸收时可能产生γ射线,必要时也要考虑γ射线防护,含硼材料（加入硼酸、硼砂等）有很高热中子吸收截面次级γ射线低的优点,可以考虑选用.中子源不用时放置在井里,必要时用机械臂操作等.个人防护,还要尽量离源远点,减少照射时间.。
其他无机晶体还有碘化铯（铊）、碘化锂（铕）、硫化锌（银）等，各有特点。新出现的有锗酸铋等。气体和液体的无机闪烁体，多用惰性气体及其液化态制成、如氙、氪、氩、氖、氦等。其中以氙的光输出比较大而较多使用。有机闪烁体有机闪烁体大多属于苯环结构的芳香族碳氢化合物，其发光机制主要由于分子本身从激发态回到基态的跃迁。同无机晶体一样，有机闪烁体也有两个发光成分,荧光过程小于1纳秒。有机闪烁体又可分为有机晶体闪烁体、液体闪烁体和塑料闪烁体。有机晶体主要有蒽、茋、萘等，具有比较高的荧光效率，但体积不易做得很大。液体闪烁体和塑料闪烁体可看作是一个类型，都是由溶剂、溶质和波长转换剂三部分组成，所不同的只是塑料闪烁体的溶剂在常温下为固态。还可将被测放射性样品溶于液体闪烁体内，这种“无窗”的探测器能有效地探测能量很低的射线。液体和塑料闪烁体还有易于制成各种不同形状和大小的优点。塑料闪烁体还可以制成光导纤维，便于在各种几何条件下与光电器件耦合。光电转换器件一般采用光电管与光电倍增管。但是，后出现的半导体光电器件，具有高的量子转换效率和低功耗，便于闪烁探测器的微型化和提高空间分辨率。离子注入型半导体探测器是一种用离子注入工艺制成P-N结的半导体探测器。
辐射shigu是指放射性同位素和射线装置在生产、使用、运输、处置等过程中，由于管理失误或操作不当等原因，发生的人员超剂量照射、放射源丢失、被盗、失控及其引起的放射性污染shigu，导致工作人员、公众人员受到意外的、非自愿的异常照射。为加强辐射shigu的管理，及时有效地处理辐射shigu，减轻shigu造成的不良后果，辐射shigu的管理实行“分级管理与报告、立案调查制度” 辐射shigu的分级及放射源的分类，放射源主要分为五个类别，即I类至V类源。硅光电探测器有三种，即硅光电二极管、硅PIN光电二极管和硅雪崩光电二极管。新疆长杆测量仪阿尔法贝塔表面污染仪
检测放射性的仪器如何保养？多探头表面污染仪
对于个人受到正常照射以及受到潜在照射危险加以限制。对这一条应注意以下要点：1个人可能受到来自多项获准实践的综合照射，所谓“限制”是指对个人所受的来自所有有关获准实践的综合照射的限制，以保证个人不会受到不可接受的健康危险。2剂量限制是对个人所受的正常照射的限制，其目的是保证各项有关获准实践所致的个人总有效剂量和qiguan或zuzhi的总当量剂量不超过《基本标准》所规定的相应剂量限值。3危险限制是对个人所受的潜在照射的限制，其目的是保证各项有关获准实践所致的个人总潜在照射的危险限值。4根据ICRP第64号出版物的建议，本标准规定危险值应与正常照射剂量限值所相应的健康危险处于同一数量级水平。多探头表面污染仪
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