湖北电阻测试以客为尊

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此外，失效电阻表面还存在少量的乙酸根离子(CH3COO-)，由于工艺生产中引入的有机弱酸减小了溶液的pH、提高了溶液的导电率，促进了金属阳极的溶解过程，加大金属阳离子的浓度而提升枝晶的生长速率，造成了电阻的短路失效。从表1离子色谱结果可以得出原工艺中生产使用的SnPb焊料存在较高的氯离子（Cl-），说明SnPb焊料中的助焊剂中存在较高的氯离子，加速了电阻表面发生焊料的电化学迁移。参考国际电子工业联接协会标准表面绝缘电阻手册IPC-TM-6502.3.28.2[4]，“/”表示未检出，其含量低于方法检出限，方法检出限为0.003mg/cm2。湖北电阻测试以客为尊通过表面绝缘电阻（SIR）测试数据可以直接反映PCB的清洁度。

铜镜实验IPC-TM-650方法_2.3.32用来测试未加热的助焊剂如何与铜反应，也叫做助焊剂诱发腐蚀测试。本质上讲，就是滴一滴定量的助焊剂到涂敷了一层铜膜的玻璃片上，然后在特定环境中放置一段时间。这个环境接近室温环境，相对湿度是50%。24小时后清理掉助焊剂，并在白色背景下观察铜膜被腐蚀掉多少。腐蚀穿透铜膜的程度决定了助焊剂的活性等级，通常用L、M和H表示。铜板腐蚀实验IPC-TM-650方法2.6.15是用来测试极端条件下，助焊剂残留物对铜的腐蚀性。助焊剂和焊料在铜板上加热直到形成焊接。然后把铜板放置在一个温度为40°C的潮湿环境，这样可以加速助焊剂残留物和铜可能发生的反应。铜板需要在测试前和测试后仔细检查其表面颜色的变化来确定是否有腐蚀的迹象。观察结果通常可以用L、M和H来表示腐蚀性的等级。

焊点助焊剂(Flux)清洁与否，将影响ECM发生多寡IC芯片封装成BGA后，于植球时会使用助焊剂(Flux)确保两种不同的金属或合金连接顺利。宜特可靠性验证实验室就观察到，Flux工艺后，若没有进行清洁动作，不仅残留物将阻碍Underfill流动路径(图四)，导致填充胶无法填满芯片底部，造成许多的气泡(延伸阅读:如何利用真空压力烤箱消灭UnderfillVoid)，更会加剧ECM的发生。可靠性验证实验室，特别做了两项实验设计(DOE)，实验条件套用HAST常见的温度:130°C/湿度:85%RH，使用助焊剂为坊间常见免清洗型助焊剂。***项DOE样品不做助焊剂清洁(Flux clean)，第二项DOE样品做助焊剂清洁(Flux Clean)，DOE结果可清楚看到，未做Flux Clean的样品，出现了ECM现象(图五(左))，而有做Flux Clean的样品，尽管同样出现ECM现象(图五(右))，但非常细微。精度高：优于同业产品。

金属离子在阴极沉积过程在阴极区，阳极溶解生成的金属离子（主要为锡离子和铅离子）在电场的作用下，在电解液中迁移到阴极得到电子直接生成金属单质；或者与阴极生成的氢氧根离子相遇而生成氢氧化物的沉淀物，氢氧化物的沉淀物发生脱水分解为氧化物，氧化物继续还原为金属单质。伴随着枝晶的生长过程，阴极区还发生的反应为电解质中溶解氧气的还原反应及水的还原反应，反应方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O为建立可抑制电化学迁移中阴极还原沉积过程，可能的有效途径为可以在阴极表面添加不同的活性剂，使阴极沉积物由树枝状结构变为分散在阴极表面，由此可有效避免由树枝状枝晶的生长而造成的短路失效。广州维柯信息技术有限公司多通道导通电阻实时监控测试系统，1-128 通道，测试范围 10 -5Ώ---10 3Ώ。湖北电阻测试以客为尊

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电化学迁移是PCB组件常见的失效模式。无论是在设计过程开发阶段，还是在生产过程、控制过程中，都需要充分的测试。在电子组装行业，有许多可用的方法可以来评估组件表面的电化学迁移倾向。根据行业标准测试将继续为SIR。这是因为该测试**接近组件的正常使用寿命中导致电化学迁移的条件，而且它考虑了所有促进电化学迁移机制的四个因素之间的相互作用。当测试集中在一个或一些因素上时，例如测试离子含量，它们可能表明每个组件上离子种类的变化，但它们不能直接评估电化学迁移的倾向。在铜、电压、湿度和离子含量之间的相互作用中存在着一些关键因素，电解会导致枝晶生长，这将继续推动测试的最佳实践朝着直接测试表面绝缘电阻的方向发展。**重要的是将SIR测试的条件尽可能地与操作条件相匹配。一旦装配过程得到验证和认可，局部萃取和离子色谱测试等工具和方法在维持离子含量水平以及在确定来料和工艺控制的变化方面都是有用的。湖北电阻测试以客为尊

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